Свободный носитель - электрический заряд
Cтраница 2
В рабочем пространстве любого прибора протекают следующие основные процессы: образование свободных носителей электрического заряда - электронов в процессе эмиссии с поверхности твердого тела или образование электронов и ионов в результате электрического разряда в газе; создание направленного потока этих частиц; управление как плотностью потока, так и направлением движения частиц. [16]
Разделение материалов на проводники и диэлектрики является условным, так как в действительности не существуют материалы, совершенно лишенные свободных носителей электрических зарядов и обладающие бесконечно большим удельным электрическим сопротивлением. Более того, между диэлектриками и проводниками трудно установить четкую границу, так как в природе и технике встречаются материалы со всевозможными значениями удельных сопротивлений от величин порядка 10 - 8 Ом - м у типичных проводников до величин порядка 10 Ом - м у типичных диэлектриков. [17]
В соответствии с рис. 3.8 при Т О К в беспримесном и бездефектном полупроводнике электропроводность равна нулю, так как отсутствуют свободные носители электрического заряда. Переход электронов из валентной зоны в зону проводимости может происходить под действием тепловой или световой энергии, электрического поля или какого-либо корпускулярного излучения. Для такого перехода энергия воздействия должна быть равна ширине запрещенной зоны ( hvEg) или превосходить ее. [18]
Процесс диссоциации может происходить и без участия растворителя, например, при расплавлении кристаллов солей, когда за счет энергии теплового движения ионов межионные связи, существующие в кристалле, разрушаются и в жидкой фазе появляются свободные носители электрических зарядов. В электрохимическом отношении такая среда ведет себя, как раствор, и также является проводником второго рода. [19]
Точно так же в области п все атомы-доноры вблизи перехода потеряют по электрону, что сделает их положительными ионами. В то же время свободные носители электрических зарядов ( электроны и дырки) в области р-п перехода отсутствуют, так как заряды ионов примесей оттолкнули их отсюда к краям кристалла. [21]
Свойство вещества создавать под действием неизменяющегося во времени электрического поля неизменяющийся во времени электрический ток называется электропроводностью. Электрическим током проводимости называется направленное движение свободных носителей электрического заряда в веществе или в вакууме. Носителями заряда в металлах являются электроны, в электролитах - ионы и электроны, в полупроводниках - электроны и дырки. [22]
Электрические заряды могут двигаться упорядоченно под действием электрического поля. Поэтому достаточным условием для существования электрического тока является наличие электрического поля и свободных носителей электрического заряда. [23]
При этом максимальная величина броска может в десятки раз превышать значение установившегося значения обратного тока. Всплеск тока в момент коммутации за пределы допустимого значения физически объясняется тем, что в момент t0 в области электронно-дырочного перехода остается большой запас свободных носителей электрического заряда, вызванный прямым током, проходящим в предшествующий период. После исчезновения свободных носителей в зоне электронно-дырочного перехода образуется пространственный заряд, который удерживает все приложенное обратное напряжение. [24]
Тепловые полупроводниковые извещатели в качестве чувствительного элемента имеют терморезистор. Терморезистором называется полупроводниковое сопротивление ( ПТР), обладающее высокой чувствительностью к изменению температуры и отрицательным температурным коэффициентом сопротивления. При нагревании терморезистора его сопротивление резко возрастает. Это объясняется тем, что под действием тепловой энергии в нем увеличивается количество свободных носителей электрических зарядов. [25]
 |
Взаимная ориентация направления поляризации считывающего света AR. [26] |
Работа модулятора ПРОМ строится по циклам. Цикл состоит из этапов записи изображения, считывания и стирания. Записываемое изображение проектируется на модулятор синим или фиолетовым светом ( А, 400 - М70 нм), который обеспечивает возникновение фотопроводимости в кристалле BSO. Так как эквивалентная электрическая емкость кристаллической пластины в несколько десятков раз меньше емкости слоев диэлектрика, первоначально практически все приложенное к электродам напряжение падает на кристалле. В освещенных участках кристалла генерируются свободные носители электрического заряда, которые дрейфуют во внешнем электрическом поле и захватываются на ловушки как в объеме кристалла, так и на его поверхности. В результате в кристалле создается неоднородное распределение электрического заряда, которое соответствует распределению интенсивности записывающего света. [27]
При комнатной температуре контактные заряды незначительны по величине, поэтому материал перед сепарацией обычно нагревают до 50 - 300 С. Выбор оптимальной температуры нагрева имеет большое значение и для каждой пары минералов подбирается опытным путем. Известны случаи положительного воздействия охлаждения разделяемых минералов. При адсорбции на поверхности минералов различных веществ и при химическом изменении поверхностного слоя происходит переход электронов через границу раздела фаз, что сопровождается резким изменением концентрации свободных носителей электрического заряда. [28]
Страницы: 1 2