Основной носитель

Cтраница 4

Поток основных носителей состоит из тех носителей, которые попадают в переход за счет их случайного движения в объеме материала и обладают достаточной энергией, чтобы пересечь его; тогда как поток неосновных носителей в противоположном направлении состоит из всех неосновных носителей, которые попадают на переход за счет их случайного движения в объеме материала. Для определения IF и / д можно использовать аргументацию аналогичную той, которая используется в кинетической теории газов для вычисления давления идеального газа. [46]

Ток основных носителей практически равен нулю. [47]

Зонная структура собственного полупроводника. а - невозбужденного. б - возбужден. [48]

Помимо основных носителей полупроводник содержит всегда и неосновные носители: электронный полупроводник - дырки, дырочный полупроводник - электроны. [49]

Полупроводниковый диод. [50]

Кроме основных носителей, в каждом из слоев возникают и неосновные носители, связанные с переходом электронов основного кристалла из валентной зоны в зону свободных уровней. [51]

Полупроводниковый диод. [52]

Концентрация основных носителей в слоях р и п обозначена через рр и п, а пр и рп - концентрации неосновных носителей в тех же слоях. В германиевых и кремниевых диодах создается такая высокая концентрация основных носителей, что концентра-ция неосновных носителей в соответствии с выражением (1.13) срав нительно мала. На металлургической границе раздела слоев АВ возникает в этом случае большая разность концентраций зарядов одного и того же знака. В одном слое они являются основными, а в другом - неосновными носителями. [53]

Часть основных носителей, имеющих наибольшие значения энергии, может теперь преодолевать понизившийся потенциальный барьер. Это приводит к появлению сравнительно большого тока через р - n - переход. Напряжение рассмотренной полярности называют прямым и считают положительным. [54]

Страницы: 1 2 3 4