Указанный носитель

Cтраница 2

В газо-жидкостной хроматографии разделение компонентов газовой смеси основано на их различном распределении между жидкостью, нанесенной на поверхность твердого инертного носителя, и газовой фазой. Следовательно, разделение основано на различии в коэффициентах распределения компонентов между подвижной и неподвижной фазами. Наиболее употребляемые в газо-жидкостной хроматографии твердые носители - кизельгур, огнеупорный кирпич, пемза. Жидкости, наносимые на указанные носители - эфиры высокомолекулярных спиртов, силиконовые смазки и другие вещества. [16]

Одновременно с этим происходит и переход основных носителей заряда базы через эмиттерный переход. Однако в область базы при изготовлении транзистора вводят значительно меньшее количество атомов примеси, чем в эмиттер, поэтому ток эмиттерного перехода создается главным образом переходом основных носителей эмиттерного слоя. Если время прохождения основных носителей заряда эмиттера через область базы много меньше времени их независимого существования, то основная часть этих носителей доходит до коллекторного перехода и попадает в область коллектора. При этом лишь небольшая часть указанных носителей рекомбинирует в области базы с ее основными носителями. Таким образом, значение тока в цепи коллекторного ( закрытого) перехода зависит от значения тока в цепи эмиттерного ( открытого) перехода. [17]

Наличие огромного потока документации, зафиксированной на различных носителях, вынуждает применять технические средства для оперативного поиска необходимой документации. Большой интерес представляют информационно-поисковые системы различных типов. Поиск информации, зафиксированной в микрофильме, осуществляется с помощью различных устройств. Применяются также системы, в которых информация фиксируется на перфокартах, магнитных лентах и дисках и др. В качестве устройств хранения и поиска информации на указанных носителях используются ЭВМ, укомплектованные необходимым для этих целей оборудованием. [18]

Зависимость времени парообразования РЗЭ массой 1 м г от их порядкового номера ( ряд летучести. [19]

Оба носителя могут действовать по нескольким направлениям. Температура приосевой зоны разряда без добавки носителей при сжигании окислов РЗЭ держится на уровне 6000 300 К. Исключение составляют легколетучие окислы Ей и Sm, при сжигании которых температура снижается до 5100 К. При этой температуре электронная концентрация повышается с 1014 до 1015 см-3. Добавление указанных носителей к окислам РЗЭ приводит к снижению температуры зоны разряда до 4200 300f К. Это создает благоприятные условия для возбуждения элементов-примесей, что сказывается на повышении интенсивности их линий. Окись галлия и хлорид натрия влияют также на поведение атомов примесей в зоне разряда. Измерения среднего времени пребывания атомов примесей в зоне возбуждения т, проведенные по методу зондов, показали, что величина т в присутствии носителей увеличивается в 1 5 - 2 раза. Хлорид натрия действует также и на кинетику поступления из кратера электрода примесей из некоторых основ РЗЭ. [20]

Страницы: 1 2