Горячий носитель
Cтраница 2
 |
Дрейфовая скорость электронов Физика этого процесса. [16] |
Сильные поля увеличивают эффективную температуру полупроводника и вызывают появление в нем горячих носителей. [17]
По-видимому, во всех рассмотренных выше реакциях важную роль играют не успевшие термолизоваться горячие носители заряда. Это подтверждает высокий порог фотодиссоциации молекул воды на кремнии пор Ь5 Eg, где Eg - запрещенная зона кремния. При захвате горячих носителей происходит понижение потенциальных барьеров, отделяющих адсорбционные медленные состояния от разрешенных зон полупроводника. [18]
В литературе такие диоды называют: диоды с барьером Шот-тки, диоды на горячих носителях, диоды на основных носителях. [19]
 |
Зависимость периода полураспада ядер относительно спон. [20] |
База структуры делается узкой ( W () 2 мкм), так что горячие носители заряда пролетают ее практически без столкновений с большой скоростью и, попадая в поле перехода коллектор - база, втягиваются коллектором. [21]
Для переключения и других процессов в технике СВЧ в последнее время начинают применяться диоды Шотки, или диоды на горячих носителях. В этих диодах, используется контакт между металлом и полупроводником. Потенциальный барьер, образующийся в таком контакте, в свое время был исследован немецким физиком В. Диод Шотки представляет собой низко-омную полупроводниковую подложку ( например, кремний типа п) с высоким содержанием донорной примеси, покрытую сверху тонкой пленкой того же, но уже высокоомного полупроводника, на которую нанесен металлический слой. Прямое внешнее напряжение прикладывается плюсом к металлу, и почти все оно действует в высокоомной пленке. Электроны в ней разгоняются до большой скорости ( становятся горячими), преодолевают потенциальный барьер и попадают в металл. Поэтому диоды Шотки обладают большим быстродействием, зависящим только от времени пробега электронов через высокоомную пленку ( менее 10 п с) и от барьерной емкости, которая при малой площади контакта может быть сделана очень малой. В результате этого диоды Шотки могут работать на частотах до 15 - 20 ГГц и время переключения у них составляет десятые и даже сотые доли наносекунды. Обратный ток у этих диодов очень мал. [22]
Наряду с диодами с накоплением широкое применение в импульсной технике начинают находить диоды, свободные от этого эффекта, называемые диодами на горячих носителях или диодами Шоттки. [23]
В фотоэлектрических приемниках поглощение энергии способствует генерации свободных носителей заряда - электронов и дырок и ( или) переходу их на более высокие уровни энергии, появлению горячих носителей. [24]
 |
Схема полупроводникового. [25] |
Таким образом, немедленно после прохождения заряженной частицы или взаимодействия кванта высокой энергии с кристаллом полупроводника в последнем возникает более или менее плотное облачко ионизации, внутри которого состояние горячих носителей ( см. гл. Процесс генерации занимает время, не превышающее несколько периодов тепловых колебаний кристаллической решетки - всего около 10 - 1а с. [26]
 |
Поточная диаграмма теплового баланса мартеновской печи. [27] |
Регенерацию теплоты можно проводить непрерывным способом, когда в качестве теплового агента применяется, например, твердый материал небольшого зернения, жидкость или даже газ, движущиеся в системе и поглощающие периодически теплоту горячего носителя, а затем отдающие ее материалу, который нужно нагреть. Такая установка, использующая твердые гранулы ( или мелкие камни, гальку), показана на рис. IX-39. Она может применяться для нагревания воздуха, водорода, метана, водяных паров или других газообразных веществ в различных промышленных процессах. [28]
 |
Поточная диаграмма теплового баланса мартеновской печи.| Схема регенерации теплоты с помощью движущихся твердых гранул. [29] |
Ре генерацию теплоты можно проводить непрерывным способом, когда в качестве теплового агента применяется, например, твердый материал небольшого зернения, жидкость или даже газ, движущиеся в системе и поглощающие периодически теплоту горячего носителя, а затем отдающие ее материалу, который нужно нагреть. Такая установка, использующая твердые гранулы ( или мелкие камни, гальку), показана на рис. IX-39. Она может применяться для нагревания воздуха, водо-рода, метана, водяных паров или других газообразных веществ в различных промышленных процессах. После перемещения в нижнюю камеру 3 гранулы отдают теплоту газам, которые нужно нагреть. В среднем цикл перемещения гранул составляет 30 - 50 мин. Нижняя камера может также использоваться как реактор для проведения высокотемпературных реакций в газовой фазе ( например, для каталитического крекинга нефтепродуктов); тепловой агент, в этом случае одновременно является катализатором. [30]
Страницы: 1 2 3 4