О-переход
Cтраница 1
О-переход), то на верхних колебательных уровнях любого электронно-возбужденного состояния молекула очень быстро, за время меньше КГ12 с, теряет избыток колебательной энергии при столкновении с окружающими молекулами. Этот процесс называют колебательной релаксацией, или колебательным каскадом, и изображают волнистой стрелкой, идущей вниз. Столь же быстрым является и процесс внутренней конверсии в высших электронно-возбужденных состояниях. Безызлучательные переходы происходят между изоэнергетическими ( или вырожденными) колебательными уровнями различных электронных состояний. Поскольку при этом полная энергия системы не изменяется, излучения не происходит. [1]
 |
Зависимость &0 от IgCi, при направленной кристаллизации Nad. [2] |
Наиболее резко о-переход проявляется при направленной кристаллизации Csl с примесью Nal. [3]
 |
Иллюстрация эффекта.| Диаграмма V-CL при проявлении йо-перехода. [4] |
В заключение отметим, что существование эффекта & о-перехода еще раз указывает на сложность процессов, проявляющихся при направленной Среднее... [5]
Оказалось что на положение точки г существенно влияет отношение исходной концентрации примеси к концентрации, отвечающей & о-переходу ( см. гл. [6]
 |
Кривые распределения микропримеси CsNOs при направленной кристаллизации NaNO3 в условиях. [7] |
Предельный равновесный коэффициент распределения в области микроконцентраций CsNOs равен 0 003; с увеличением концентрации CsNO3 равновесный коэффициент распределения возрастает до 0 01; & о-переход не обнаружен. При У7 см / ч кривые распределения совпадают с равновесными. [8]
Шн - воз УжДенного состояния, ио-ногосостояния этому общим переходом в поглощении и испускании являет - - с ся переход между нулевыми колебательными подуровнями основного и возбужденного состояний - так называемый О - О-переход. Энергия О - О-перехода наименьшая в поглощении и наибольшая в испускании. [9]
Шн - воз УжДенного состояния, ио-ногосостояния этому общим переходом в поглощении и испускании являет - - с ся переход между нулевыми колебательными подуровнями основного и возбужденного состояний - так называемый О - О-переход. Энергия О - О-перехода наименьшая в поглощении и наибольшая в испускании. [10]
 |
Расчеты по уравнению. [11] |
К сожалению, о наличии & о-перехода стало известно уже после проведенных исследований. [12]
 |
Схематичное изображение концентрационной зависимости равновесного коэффициента распределения ( а п кривой распределения ( б в случае проявления / г0 - пере. [13] |
Эта величина в 2 - 3 раза превышает значение Ag, обусловленное разделкой слитка на части. Поэтому есть основания утверждать, что наклонный участок на кривой зависимости k0 от CL в районе о-перехода обусловлен природой этого явления, а не погрешностями опыта. [14]
III - об эффекте йо-перехода при направленной кристаллизации NaNOs с примесью Sr ( NOs) 2 - Зависимость k0 от CL в районе &0 - перехода носит резкий характер. На рис. VII.3, а область / го-перехода заштрихована. Участок Ag на кривой распределения отвечает & о-переходу. Стремится ли протяженность этого участка при уменьшении скорости кристаллизации к нулю. Ответ на этот вопрос дают следующие результаты, полученные в условиях (1.1) гл. [15]
Страницы: 1 2