Обеднение

Cтраница 1

Обеднение электронной плотностью пиридинового кольца, затрудняющее электрофильное замещение, облегчает нуклеофильное замещение. [1]

Обеднение поверхностных слоев сплавов легирующими элементами, препятствующими смачиванию и растеканию припоя, яногда используется для улучшения паяемости. Обработкой такого окисленного слоя в горячей щелочи или в водных щелочных растворах удаляется слой окислов, богатых легирующими элементами; пайке подвергается обедненный ими поверхностный слой сплава. [2]

Скорость коррозии малоуглеродистой стали в морской и пресной воде в зависимости от длительности испытания. [3]

Обеднение кислородом происходит не только в результате температурной деаэрации, но и затраты кислорода на коррозионный процесс. [4]

Обеднение углеродом пли обезуглероживание по краям закалочных трещин, если это не было повторной закалкой, отсутствует. [5]

Обеднение не исключает однако значения напряжений для ускорения межкристаллитнои коррозии. [6]

Обеднение дейтерием в результате такого биологического процесса представляет интерес ввиду относительно низкого отношения D / H, обнаруженного в атмосферном водороде. [7]

Обеднения режим - - режим работы полевого транзистора с изолированным затвором и встроенным каналому соответствующий такойь полярности - напряжения, приложенного к затвору -, при которой основные носители отталкиваются затвором и вытесняются из канала. При этом - происходит обеднение канала основными носителями и его сопротивление увеличивается по срав-нению с исходным значением в отсутствие напряжения на затворе. [8]

Обеднение энергией при переходе к выровненным структурам ( которое называют энергией резонанса) и является движущей силой многих процессов, ведущих к образованию мезомерных молекул. [9]

Обеднение легирующими элементами поверхностного наклепанного слоя при высоких температурах происходит значительно быстрее, чем в ненаклепанном состоянии. Это подтверждается различием в характере изменения параметра решетки сплава в наклепанном и ненаклепанном состоянии. Так, если при 750 С параметры в наклепанном и ненаклепанном состоянии одинаковы и равны действительному параметру сплава ЭИ437Б ( 3 562 t t 0 001 КХ), то при 850 С разница в изменении параметров составляет 0 003 КХ, а при 750 С - 0 018 КХ. [10]

Обеднение или обогащение носителями тока полупроводника с анейтральным контактом при приложении поля связано с тем, что соотношение между электронной и дырочной компонентами тока в глубине полупроводника и в районе контакта может быть неодинаковым. Тогда очевидно, что протекание тока должно приводить к изменению концентрации носителей в объеме полупроводника. [11]

Распределение примеси в диффузионном слое.| Зависимость коэффициента диффузии бора в кремнии от концентрации при Т 1520 К и поверхностной концентрации примеси NO 2 - 10 м - 3.| Диффузионное распределение концентрации бора в кремнии.| Распределение концентрации фосфора при обеднении поверхностного слоя. [12]

Обеднение поверхностных слоев примесями ( рис. 5.16) может наблюдаться при диффузии в течение длительного времени из ограниченного источника. [13]

Кинетика вклада 5 различных механизмов в упрочнение теплоустойчивой хромомолибденованадиевой стали в процессе ползучести. [14]

Обеднение молибденом твердого раствора в связи с переходом в карбидную фазу вызывает снижение жаропрочных свойств стали. [15]

Страницы: 1 2 3 4