Обеднение - поверхностный слой
Cтраница 2
При высоких скоростях вытягивания ( около 5 см. мин и выше) такой кривой можно характеризовать устойчивость относительно непрочных пленок, причем в этом случае участок RS образует восходящую часть кривой, так что разность ординат точек R и 5 может составить до 5 дин. Кривые этого типа, вероятно, получаются вследствие того, что скорость миграции молекул поверх-ностноактивного вещества из внутренней части пленки к поверхности недостаточна для того, чтобы компенсировать обеднение поверхностного слоя, происходящее в результате увеличения поверхности. [16]
Для нестехиометрических окислов характерно присутствие в них большего или меньшего количества вакансий по кислороду или металлу. Это облегчает протекание диффузии через слой окисла от металла к поверхности окисла и от его поверхности к металлу и рост окисла. Это может привести также к обеднению поверхностного слоя металла легирующими элементами при пайке в присутствии кислорода. [17]
Дырки, участвующие в анодном растворении, доставляются к поверхности вследствие диффузии. В герма-кии п типа дыркк не являются основными носителями тока, и их число относительно невелико. Поэтому при высоких скоростях электрохимической реакции будет происходить обеднение поверхностного слоя дырками и при достижении некоторой плотности тока может наступить такой момент, когда число дырок, потребляемых при анодном процессе, будет равно числу дырок, доставляемых на поверхность. Плотность тока насыщения ( t 3 - 10 - 3 а / см2) не является универсальной величиной. Ее численное значение зависит от электрофизических параметров и кристаллической структуры германия. [18]
Чаще всего низшие окислы имеют стехиометрический избыток кислорода и являются полупроводниками га-типа, высшие окислы имеют недостаток кислорода и являются полупроводниками р-типа. Чем больше состав окисла отличается от стехиометрического, тем больше его проводимость. При анодной поляризации увеличивается содержание кислорода, что приводит к изменению количества носителей заряда и даже их знака. Обеднение поверхностного слоя носителями заряда вызывает возникновение объемного заряда в полупроводнике и увеличение потенциала анода. [19]
Чаще всего низшие окислы имеют стехлометрический избыток кислорода и являются полупроводниками м-типа, высшие окислы имеют недостаток кислорода и являются полупроводниками / ьтипа. Чем больше состав окисла отличается от стехиометрического, тем больше его проводимость. При анодной поляризации увеличивается содержание кислорода, что приводит к изменению количества носителей заряда и даже их знака. Обеднение поверхностного слоя носителями заряда вызывает возникновение объемного заряда в полупроводнике и увеличение потенциала анода. [20]
Общим для всех сплавов является пластическое течение, сопровождаемое упрочнением, а для многофазных сплавов - пластическое течение сопровождается оттеснением мягких фаз в поверхностный слой, их удалением в продукты износа и обогащением поверхности трения антифрикционного сплава твердой структурной фазой. Например, у баббита Б-83 происходит обогащение поверхности 3 - и Tj-фазами; у бронзы Бр. С-30 - оттеснение свинца медными зернами; у бронзы АЖН 10 - 4 - 4 наблюдается обогащение железной составляющей; у цинкового сплава ЦАМ 10 - 5 происходит обогащение поверхностного слоя е-фазой; у алюминиевых сплавов типа А1соа - 750 поверхностный слой обогащается кремниевой составляющей. Исключение составили алюминиево-сурьмянистые сплавы, для которых наблюдалось обеднение поверхностного слоя твердыми кристаллами AlSb, что объясняется большой скоростью окисления этих кристаллов с образованием порошкообразных продуктов. [21]
Это приводит к увеличению поверхностной концентрации основных носителей, т.е. к обогащению ими поверхностного подзатворного слоя. При этом один из / ( - - переходов, а следовательно, и транзистор остаются закрытыми. При подаче малого 17, другой полярности ( f / 3 0) в поверхностном слое под затвором индуцируется сравнительно небольшой заряд неосновных носителей тока ( электронов) для данной области полупроводника, а основные носители частично смещаются в глубь полупроводника. В итоге их поверхностная концентрация уменьшается, но остается большей, чем у неосновных носителей. В этом случае происходит обеднение поверхностного слоя основными носителями. Транзистор по-прежнему остается закрытым. По этой причине поверхностный слой приобретает инверсное состояние - его тип проводимости становится противоположным проводимости остальной части подложки. Следовательно, между истоком и стоком индуцируется поверхностный канал и транзистор открывается. Чем больше U3 превышает f7n0p, тем больше ток стока / с. При этом напряжение затвора управляет током стока. [22]
 |
Химический состав литейных жаропрочных сплавов. [23] |
Кроме этих фаз, образуются карбиды ( Сг2аСв, М С, TiC, NbC, TiCN) и бориды Сг5В3 ( X), М3В ( 7), также повышающие жаропрочность. Образование инородных твердых и достаточно тугоплавких фаз, когерентно связанных с гамма-твердым раствором, тормозит дислокационные перемещения при высокой т-ре под действием мех. Скорость охлаждения в процессе закалки вследствие распада 7 - у и образования др. фаз влияет на св-ва сплавов тем сильнее, чем сложнее легирование. Длительный нагрев при закалке влечет за собой обеднение поверхностного слоя изделий легирующими элементами ( титаном, алюминием и др.), ухудшает их эксплуатационные качества. Дефектный слой удаляют резанием, полированием или элект-рохим. [24]
На поверхности кристалла полупроводника под слоем окисла может возникнуть инверсный слой. Тогда исток и сток окажутся электрически соединенными между собой каналом с довольно большим сопротивлением из-за малой его толщины. Такой полевой транзистор с изолированным затвором называют МОП-транзистором со встроенным каналом. Эти транзисторы по принципу действия, свойствам и характеристикам подобны полевым транзисторам с / п-п-перехо-дом в качестве затвора. МОП-транзистор может работать в двух режимах: в режиме обогащения и в режиме обеднения поверхностного слоя полупроводника носителями заряда. [25]
Страницы: 1 2