Обеспечение - полная взаимозаменяемость
Cтраница 2
Профиль Ilia резьбы шпильки идентичен профилю / / /, а резьба гайки соответствовала ГОСТ 9150 - 81, поэтому для обеспечения полной взаимозаменяемости шпилек и гаек зазор по внутреннему диаметру увеличили до 80 мкм. [16]
Если среди входных параметров имеются два или несколько взаимозависимых параметров, то и в этом случае следует поступать так, как было рекомендовано при рассмотрении метода обеспечения полной взаимозаменяемости. [17]
Первый метод известен в литературе [49] под названием метода обеспечения полной взаимозаменяемости или метода расчета размерных цепей по максимуму и минимуму. Он учитывает, что при сборке в одном изделии могут встретиться детали крайних предельно допустимых размеров в самом невыгодном для точности сборки сочетании. При таком предположении допуск замыкающего звена размерной цепи равен сумме допусков составляющих звеньев. Исследования, проведенные отечественными и зарубежными специалистами, показали, ч го отклонения размеров в обработанной партии деталей в основном группируются около середины поля допуска, и только незначительная часть деталей в партии будет иметь предельные отклонения. Совпадение при сборке деталей с наихудшим сочетанием предельных размеров маловероятно. [18]
Применяются сравнительно редко, в особо точных соединениях, требующих высокой однородности зазора или натяга. Если по условиям сборки и эксплуатации соединения нет необходимости в обеспечении полной взаимозаменяемости его деталей, то вместо посадок 4 - 5-го квалитетов прибегают к селективной сборке, применяя более грубые допуски на изготовление деталей. [19]
Применяются сравнительно редко, в особо точных соединениях, требующих высокой однородности зазора или натяга. Если по условиям сборки и эксплуатации соединения нет необходимости в обеспечении полной взаимозаменяемости его деталей, то вместо посадок 4 - 5-го квалитетов прибегают к селективной сборке, применяя более грубые допуски на изготовление деталей. [20]
 |
Кривая закона нормального распределения случайных величин. [21] |
Таким образом, сущность метода неполной взаимозаменяемости состоит в том, что поля составляющих звеньев ( деталей) преднамеренно расширяются. При этом значения размеров в Основном ( обычно в - 99 73 %) благодаря отмеченной выше закономерности будут находиться в пределах, удовлетворяющих условию обеспечения полной взаимозаменяемости. [22]
При разработке сборочной единицы необходимо стремиться к простоте ее конструкции, блочное построения, возможности присоединения деталей к базовой простейшим движением ( по возможности вдоль одной оси), обеспечению полной взаимозаменяемости деталей по сопрягаемым поверхностям, выполнению точностных требований к деталям для осуществления правильного их базирования, возможности автоматического ориентирования и загрузки деталей. [23]
Стандартизация и взаимозаменяемость неотделимы, но имеется ряд проблемных вопросов, - связанных с практикой применения функциональной вза имозаменяемости. Стандартизация способствует решению этих вопросов путем обеспечения полной взаимозаменяемости и внедрения во многих случаях очень эффективной селективной взаимозаменяемости. [24]
В преобразовательном шкафу к двум стойкам рам к прикреплены металлические скобы, задающие определенный шаг для установки необходимого количества блоков К тыльным сторонам скоб крепятся изоляционные платы каждая из которых связывает механически две парь скоб. Платы несут на себе ножевые контакты силовы: разъемов и плавающие каретки с гнездовыми колодкам разъемов РП-14. При установке блоков в шкаф они пс даются по скобам вперед до сочленения разъемов. Дл обеспечения полной взаимозаменяемости блоков в шкаф необходимо гарантированное сочленение силовых и ел; боточных цепей. [25]
Естественно, потенциал точки 2 также отрицателен. Таким образом, схема будет работоспособна, если при любых изменениях режимов транзисторов потенциал точки 3 будет оставаться отрицательным. При высокой степени идентичности транзисторов это может быть получено за счет существенного разноса рабочих токов первых двух транзисторов. Ток первого транзистора выбирается в пределах 0 1 - 0 3 мА, а второго 0 4 - 0 6 мА, что обеспечивает необходимую разность потенциалов и высокие усилительные свойства транзисторов. В коллекторе второго транзистора ( точка 5) напряжение должно быть еще более отрицательным, чем в коллекторе первого транзистора. Кроме того, в коллекторе второго транзистора должно развиваться заметное переменное напряжение, достаточное для раскачки выходного каскада усилителя. Поэтому для увеличения величины отрицательного потенциала в эмиттер третьего транзистора целесообразно включить кремниевый диод в прямом направлении. Так как динамическое сопротивление диода весьма мало, его не надо шунтировать конденсатором для уменьшения величины отрицательной ОС по переменному току. При дискретном исполнении усилителя для обеспечения полной взаимозаменяемости транзисторов целесообразно ввести дополнительно диод в эмиттер второго транзистора, а в эмиттер третьего включить последовательно два диода или низковольтовый стабилитрон. При интегральном исполнении, когда идентичность транзисторов высока возможно исключение диода из эмиттера третьего транзистора. [26]
Страницы: 1 2