Cтраница 2
Расстояние между обкладками плоского конденсатора увеличивают. [16]
Пространство между обкладками плоского конденсатора заполнено двумя слоями диэлектриков толщиной d и d2, которые параллельны обкладкам конденсатора. [17]
Зазор между обкладками плоского конденсатора заполнен веществом с проницаемостью е7 00 и удельным сопротивлением р 100 ГОм-м. [18]
Расстояние между обкладками плоского конденсатора, имеющими форму квадратов с площадью 400 см2, равно 1 см. С помощью электрической батареи конденсатор заряжается до разности потенциалов 10 в, а затем отключается от нее. [19]
Пространство между обкладками плоского конденсатора заполняется газом. [20]
Пространство между обкладками плоского конденсатора заполнено двумя слоями диэлектрика. [21]
Поместим между обкладками плоского конденсатора сегнетоэлектрик и будем измерять s, в зависимости от напряженности Е поля, изменяющейся по гармоническому закону. [22]
К одной из обкладок плоского конденсатора прилегает стеклянная плоскопараллельная пластинка ( ех 7) толщиной 9 мм. [23]
Найти радиус Ru круглых обкладок плоского конденсатора, емкость которого равна емкости: а) сферического конденсатора с радиусами обкладок Rt и R при той же диэлектрической проницаемости и той же толщине изоляции; б) цилиндрического конденсатора длины / с радиусами обкладок Rl и R % при той же диэлектрической проницаемости и той же толщине изоляции. [24]
Найти радиус Ra круглых обкладок плоского конденсатора, емкость которого равна емкости: а) сферического конденсатора с радиусами обкладок Rt и R. [25]
Задача 6.2. Между обкладками плоского конденсатора, заряженного до разности потенциалов 1 кВ, зажата стеклянная пластина ( е 7) толщиной 3 мм. [26]
Задача 7.2. Между обкладками плоского конденсатора, заряженного до разности потенциалов 1 кВ, зажата стеклянная пластина ( е 7) толщиной 6 мм. [27]
Электрическое поле между обкладками плоского конденсатора является равномерным, или однородным. Силу, или напряженность, равномерного электрического поля дринято характеризовать величиной разности потенциалов, приходящейся на - единицу длины хиловой линии. [28]
В пространство между обкладками плоского конденсатора вставлены две плоскопараллельные проводящие пластинки, плотно прилегающие друг к другу и к обкладкам конденсатора. Пластинки имеют толщины / Zj и / z2, их проводимости и диэлектрические проницаемости 4j, у. [29]
Как нужно изменить площадь обкладок плоского конденсатора, а соответственно и поверхность прилегающего к его обкладкам изоляционного слоя, чтобы при данном заряде запас электрической прочности увеличился в 2 раза. [30]