Другая обкладка

Cтраница 3

Будем рассматривать диэлектрическую мишень как диэлектрик некоторого конденсатора, одной из обкладок которого является металлический электрод, на котором размещается мишень, а другой обкладкой служит высокопроводящие слои плазмы, примыкающие ко второму электроду. [31]

Развитие разряда по поверхности проходного изолятора. [32]

Поверхностной емкостью называется емкость конденсатора, у которого одной обкладкой является поверхность, по которой развивается разряд с одного из электродов, а другой обкладкой - противоположный электрод конструкции. [33]

Как видно из описания прибора, один и тот же переключатель с двумя дужками А и В присоединял к одной обкладке напряжение, а другую обкладку соединял с электрометром. [34]

Если обкладки заряженного конденсатора соединить проводником ( рис. 51, в), излишние электроны отрицательно заряженной обкладки мгновенно перейдут по этому проводнику на другую обкладку, где их недостает, и конденсатор разрядится. В этом случае в образовавшейся цепи также возникает кратковременный ток, называемый током разряда конденсатора. Если емкость конденсатора большая и он заряжен до значительного напряжения, момент разряда сопровождается появлением значительной искры и треска. [35]

Двойной электрический. слой по Гельм-гольцу - Перрену и соответствующий скачок потенциала. [36]

Согласно этой теории двойнЪй слой представляется как бы плоским конденсатором, одна обкладка которого связана непосредственно с поверхностью твердого тела ( стенкой), а другая обкладка, несущая противоположный заряд, находится в жидкости на очень малом расстоянии от первой. [37]

Двойной электрический ( VII, 1 слой по Гельм-гольцу - Перрену и соответствующий скачок потенциала. [38]

Согласно этой теории двойной слой представляется как бы плоским конденсатором, одна обкладка которого связана непосредственно с поверхностью твердого тела ( стенкой), а другая обкладка, несущая противоположный заряд, находится в ящд-кости на очень малом расстоянии от первой. [39]

Почему под зарядом конденсатора следует понимать не полный заряд обкладки, а только ту его часть, что находится на ее внутренней стороне, обращенной к другой обкладке. [40]

ДНер р орг - ( AHgo) N F здесь обусловлено ориентированной адсорбцией диполей органического вещества, при которой положительные концы диполей образуют одну обкладку двойного электрического слоя, а их отрицательные концы - другую обкладку. [41]

Сечение диф. [42]

Одной обкладкой конденсатора является слой металла ( обычно алюминия), нанесенный на поверхность слоя двуокиси кремния одновременно с созданием межэлементных соединений и контактных площадок. Другой обкладкой - сильнолегирован-нля область полупроводника, которая формируется одновременно с формированием эмиттерных областей транзисторных структур интегральных микросхем. Таким образом, процесс изготовления МДП-конденсаторов также не требует проведения дополнительных операций для их формирования. [43]

Герметический конденсатор се - рии ЭМВ.| Двухполюсный рубильник. [44]

Эта лента является одной из обкладок конденсатора. Другой обкладкой служит вторая, неокисленная, лента из фольги. Между ними располагается бумажная лента, пропитанная электролитом. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5