Левая обкладка
Cтраница 2
Действительно, представим себе плоский конденсатор, заполненный диэлектриком ( рис. 67), причем на левой обкладке имеется положительный заряд, а на правой - отрицательный. Так как одноименные заряды отталкивают, а разноименные притягиваются, то, очевидно, у левой ( положительной) обкладки возникает на поверхности диэлектрика отрицательный поляризационный заряд, а у правой обкладки - положительный. Таким образом, поле Ер, создаваемое поляризационными зарядами, направлено противоположно полю Е &, создаваемому зарядами на обкладках, и потому ослабляет его. Результирующее поле в диэлектрике оказывается меньше, чем в отсутствие диэлектрика. [17]
Действительно, представим себе плоский конденсатор, заполненный диэлектриком ( рис. 67), причем на левой обкладке имеется положительный заряд, а на правой - отрицательный. Так как одноименные заряды отталкиваются, а разноименные притягиваются, то, очевидно, у - левой ( положительной) обкладки возникает на поверхности диэлектрика отрицательный поляризационный заряд, а у правой обкладки - положительный. Результирующее поле в диэлектрике оказывается меньше, чем в отсутствие диэлектрика. [19]
В схеме ( рис. 241) значения С, R, & известны, при разомкнутом выключателе заряд левой обкладки плоского конденсатора равен нулю. Определить начальный заряд правой пластины конденсатора, если после замыкания ключа на резисторе R выделяется такое же количество теплоты, как и в случае, когда конденсатор вначале не заряжен. [20]
Если потенциал правой обкладки принять за нулевой, то можно считать, что во время tc в результате заряда конденсатора его левая обкладка получает положительный потенциал. [21]
После насыщения транзистора Т2 правая обкладка конденсатора оказывается связанной с корпусом устройства через малое выходное сопротивление каскада на насыдснном транзисторе Т2; напряжение на левой обкладке, равное Uт, приложено к базе ТЛ. Конденсатор С начинает разряжаться. [22]
Перезаряд конденсатора С2 происходит под влиянием двух напряжений, действующих согласно: Ек и напряжения на самом конденсаторе, имевшем перед опрокидыванием схемы нулевой потенциал на левой обкладке и отрицательный - на правой обкладке. [23]
 |
Ток и напряжение цепи с емкостью.| Векторная диаграмма цепи с емкостью. [24] |
В течение первой четверти периода напряжение в цепи положительно и изменяется от нуля до амплитудного значения UH, пропорционально напряжению изменяется и заряд конденсатора, который заряжается, причем на левой обкладке ( рис. 9 - 10) накапливается положительный заряд, а на правой - отрицательный. Скорость изменения напряжения, максимальная в начале, в конце первой четверти периода становится равной нулю. Ток в цепи, пропорциональный скорости увеличения напряжения ( 9 - 22), положителен и изменяется от / до нуля. [25]
 |
Электрическая цепь с четырьмя узлами. [26] |
Соединим зажим / рис. 2 - 3) источника постоянного тока А через рубильник PI проводом с электродом В, опущенным в раствор электролита С, второй электрод D соединим с правой обкладкой конденсатора Е, а левую обкладку F соединим проводом через рубильник Р2 с зажимом 2 источника А. [27]
 |
Формирователь импульсов. а - принципиальная схема, б - эпюры напряженно. [28] |
Конденсатор С заряжается почти до напряжения питания по цепи: левая обкладка конденсатора С-RKi - минус источника питания - плюс источника - базовый переход транзистора Т2 - правая обкладка конденсатора. Левая обкладка становится заряженной отрицательно, правая - положительно. [29]
На рис. 4.2 г показано устройство мишени, представляющей собой слой фотосопротивления на полупрозрачной металлической подложке. Левой обкладкой всех емкостей является пленка металла. В зависимости от величины элементарного светового потока, падающего на каждый элемент фотослоя, сопротивления утечек каждой такой емкости оказываются пропорциональными этим осве-щенностям. Если предположить, что в какой-то начальный момент времени развертывающий луч доводит потенциалы правых обкладок емкостей до некоторого потенциала, то к следующему моменту прихода развертывающего луча к этим элементарным участкам фотослоя емкостей за счет различных сопротивлений утечек окажутся разряженными по-разному. Таким образом, на мишени образуется потенциальный рельеф. [30]
Страницы: 1 2 3 4