Cтраница 4
Так как динистор перед открытием транзистора был кратковременно проводящим, то правая обкладка конденсатора С в первый момент времени имеет потенциал иг, который затем через резистор 2 снижается по экспоненциальному закону с постоянной времени, равной RT. Потенциал левой обкладки конденсатора С, которая до включения диода кратковременно еще имела потенциал i, возрастает теперь до значения i - b t / nep. Вследствие этого транзистор запирается и потенциал левой обкладки Конденсатора Ci снижается с постояиной времени RiCi до значения и. В конечном итоге транзистор опять отпирается и левая обкладка конденсатора Ci получает потенциал UL Конденсатор Ci прекращает отбирать ток от диода Дь вследствие чего он запирается, так как ток, протекающий через резистор Ro, оказывается меньше тока, необходимого для поддержания динистора во включенном состоянии. Этот процесс повторяется периодически. [46]
После окончания формирования импульса, когда транзистор Т1 вновь оказывается запертым, а транзистор Г2 насыщенным, напряжение на разрядившемся конденсаторе С практически равно нулю. По второму закону Кирхгофа напряжение на левой обкладке конденсатора и катоде диода Д ыкат ( Удна Ь Uct. Так как в рассматриваемый момент времени и напряжение С / дна на базе Т2, и напряжение t / c, на конденсаторе Q близки к нулю, то напряжение на левой обкладке конденсатора С4 относительно корпуса устройства, а следовательно, и напряжение на катоде диода Д также близки к нулю. [47]
Так как динистор перед открытием транзистора был кратковременно проводящим, то правая обкладка конденсатора С в первый момент времени имеет потенциал иг, который затем через резистор 2 снижается по экспоненциальному закону с постоянной времени, равной RT. Потенциал левой обкладки конденсатора С, которая до включения диода кратковременно еще имела потенциал i, возрастает теперь до значения i - b t / nep. Вследствие этого транзистор запирается и потенциал левой обкладки Конденсатора Ci снижается с постояиной времени RiCi до значения и. В конечном итоге транзистор опять отпирается и левая обкладка конденсатора Ci получает потенциал UL Конденсатор Ci прекращает отбирать ток от диода Дь вследствие чего он запирается, так как ток, протекающий через резистор Ro, оказывается меньше тока, необходимого для поддержания динистора во включенном состоянии. Этот процесс повторяется периодически. [48]
Одновременно в цепи: О В, эмиттер-база открытого транзистора Tl, R4, Rl, - 12B - протекает базовый ток. Падение напряжения на сопротивлении базы транзистора Т1 создает небольшой отрицательный потенциал по отно-шеншо к эмиттеру и удерживает транзистор в открытом состоянии. Во время закрытого состояния транзистора Т1 конденсатор С1 заряжается до напряжения сигнала L на выходе А. После опрокидывания мультивибратора транзистор Т1 находится в открытом состоянии. Левая обкладка конденсатора С1 подключается через открытый транзистор Т1 к О В. Элект рические цепи перезаряда конденсаторов С1 и С2 имеют разную величину сопротивлений резисторов. Постоянная времени цепи заряда конденсатора С2 по сравнению с постоянной времени цепи разряда конденсатора С1 имеет меньшую величину. Напряжение на конденсаторе С1 убывает по экспоненте с постоянной времени цепи разряда. При изменении потенциала базы до величины, близкой, к О В, транзистор Т2 открывается. [49]