Область - ионизация
Cтраница 3
Молекулы образца попадают из реакционного сосуда в область ионизации через небольшое напускное отверстие в направлении, перпендикулярном направлению движения ионов. Молекулярный пучок проходит через ионный источник и попадает в область откачки. Молекулярный пучок можно вводить также через отверстие в пластине, служащей для выталкивания ионов, в направлении, параллельном направлению движения ионов, причем разрешение при таком напуске не ухудшается. [32]
Главный ионосферный провал ( ГИП) - область пониженной ионизации, граничащая, с полярной стороны с АО. [33]
Электрод 5 применяется для уменьшения разброса потенциалов в области ионизации, что позволяет повысить напряженность поля в ионизационной камере, но без существенного увеличения разброса величин скоростей ионов. Этим приемом снижается влияние поляризации электродов на фокусировку пучка попов именно в том месте, где искажения их траекторий особенно велики вследствие малой скорости ионов. [34]
 |
Гальваностатическая кривая заряжения для серебра в 0 2 и. NaOH. [35] |
Очевидно, что в этом случае нельзя выделить область ионизации водорода, и метод гальваностатического заряжения непригоден для получения соответствующей полезной информации. [36]
Однако искажение поля пространственными зарядами происходит не только в области ионизации ( от нуля до d), где развивается самостоятельный разряд, но и во внешней области. Это искажение происходит в сторону увеличения напряженности поля во внешней области разряда. По мере развития пробоя на коронирующий слой приходится все меньшая и меньшая доля общего напряжения, приложенного к разрядному промежутку. Вследствие этого ионизационное нарастание сперва перестает увеличиваться, а затем вновь уменьшается до значения единица, и режим разряда становится устойчивым при сравнительно слабом токе. [37]
 |
Зависимость ионного тока от давления. [38] |
В условиях молекулярного или эффузионного натекания концентрация газов в области ионизации пропорциональна давлению в баллоне напуска и сохраняется постоянной при заданном давлении. При этом полный ионный ток является линейной функцией давления, а наклон прямой пропорционален абсолютному сечению ионизации. [39]
Использование германия с примесью золота делает более доступным исследование области ионизации в полупроводнике, так как соответствующий диапазон температур перемещается из интервала жидкий гелий - жидкий водород в интервал жидкий азот-комнатная температура. Представляют интерес такие вопросы, как уже обсуждавшееся сравнение результатов статистического рассмотрения с экспериментальными данными по эффекту Холла. [40]
При дальнейшем увеличении напряжения ток быстро возрастает вследствие расширения области ионизации. Этому соответствует участок ВС характеристики. В режиме тлеющего разряда величина разрядного тока пропорциональна светящейся поверхности катода. [41]
При дальнейшем увеличении напряжения ток быстро нарастает вследствие расширения области ионизации газа. Этому соответствует горизонтальный участок ВС. [42]
В конденсированной фазе рекомбинация ионов происходит главным образом в областях ионизации ( в шпурах и др.), проникновение заряженных частиц в объем менее вероятно. При этом кинетика рекомбинации практически полностью определяется концентрацией ионов в областях ионизации. [43]
Изменяя энергию электронов, можно также расширить или наоборот сузить область ионизации, что бывает важно, если изучается инжек-ция носителей из электродов. [44]
Приведенные примеры показывают, какое большое значение имеют работы в области ионизации полем, как с точки зрения разработки теории масс-спектра, так и с точки зрения практического применения для исследования различных химических и физических процессов в широком интервале температур. [45]
Страницы: 1 2 3 4