Область - источник
Cтраница 2
В тех случаях, когда нежелательно проникновение магнитных силовых линий в область источника, его экранируют или выносят за пределы поля. [16]
 |
Графики изменения /, Р и т ] и зависимости от изменения отношения R / r.| Схема источника с постоянным напряжением. [17] |
В некоторых случаях для упрощения расчета участков схемы, лежащих вис области источников питания, эквивалентную схему источника питания рис. 1 - 11 заменяют другой расчетной схемой, которую можно назвать схемой источника с постоянной величиной тока или - короче - схемой с источником тока. Эта замена может быть получена исходя из следующих формальных рассуждений. [18]
Другие ошибки в определениях относительной распространенности могут возникать при повышенных давлениях в области источника. Например, для водорода, свободного от дейтерия, при высоких давлениях наблюдается пик, соответствующий HJ. При очень низких давлениях интенсивность пика иона HJ пропорциональна квадрату величины давления. Таким, образом, при измерении относительного содержания HDVH в масс-спектрометре с разрешающей способностью, недостаточной для разделения Н3 и HD, необходимо измерить отношение масс 3 и 2 в широком диапазоне давлений и экстраполировать величину отношения к нулевому давлению. Сходные взаимодействия между протонами и нейтральными молекулами наблюдаются для многих органических молекул, особенно сложных эфиров и нитрилов, что может привести к ошибкам измерения относительной распространенности изотопов по пикам молекулярных ионов. Эти и другие ионы, образованные в процессе столкновений, будут рассмотрены ниже. [19]
Кинетическая энергия потока в конечной или бесконечной области зависит от находящихся в этой области источников и вихрей. [20]
Параметр г / А, определяет характер поля в зависимости от удаления от области источников. На расстояниях гА, ( как это видно на примере диполя) в зоне индукции поле представлено в осн. [21]
Обычно основное требование к осветительной системе при качественном анализе - освещение щели той областью источника света, в которой отношение интенсивности линии к сплошному свету максимально. Необходимо обращать внимание на экранирование сплошного излучения, идущего от конца электродов. Наиболее часто применяют однолинзовый конденсор, который проектирует увеличенное изображение нужного участка спектра на щель или трехлинзовая система освещения. [22]
 |
Зависимость интенсивности излучения от величины Л /. - индекса. [23] |
В работе Бенсона и Калверта [195] анализировались наблюдения аврорального километрового излучения на спутнике ISIS-1 в области источника излучения. Было найдено, что генерируется электромагнитное излучение, соответствующее необыкновенной моде и направленное почти перпендикулярно магнитному полю. [24]
Помимо перечисленных задач, необходимо отметить то новое, что создается сейчас в промышленности в области источников электропитания. [25]
Из рассмотрения условий равновесия бесконечно малых заштрихованных элементов на рис. 11.17 можно заключить, что в области источника концентрации напряженное состояние не только неоднородно, но и не одноосно. Действительно, если существует напряжение их в грани элемента, совпадающей с поперечным сечением ( рис. 11.17, а), то должно ( для его равновесия) существовать касательное напряжение тух по грани, совпадающей с продольным сечением, так как поверхность АВ свободная от сил. По свойству парности (1.6) существует напряжение тхя что, в свою очередь, требует существования напряжения ау. [26]
В настоящее время элементы на основе системы фторированный графит - литий оценивают как первый этап реформы в области источников тока; число их применений увеличивается с необычной быстротой. Вместе с тем ощущается необходимость в дальнейшем улучшении свойств для более полного удовлетворения запросов техники. [27]
 |
Изменение коэффициента переноса и концентрации бора в германии в зависимости от содержания В13 в галопой фазе.| Температурные зависимости коэффициентов переноса примесей Sb, In, Ga и BI3. [28] |
На рис. 3.18 приведены характеристики переноса бора из В13, за вычетом того количества, которое попадает в область германиевого источника. Из этих данных следует, что В13 легко восстанавливается. [29]
Состав газовой фазы главного газового потока в системе Ga - AsCl3 - Н2 определяется равновесной газовой фазой в области источника галлия. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5