Область - низкое напряжение
Cтраница 1
Области низкого напряжения и высокой симметрии, которые авторы [332] называют полностью релаксированными областями, похожи на микрокристаллы, но без трансляционной симметрии. И это оправдывает микрокристаллическую модель или модели дислокаций. [1]
В области низких напряжений ток не соответствует условиям ТОПЗ и, очевидно, не удовлетворяет также закону Ома. Так, при напряжении 10 В в кристалле толщиной 220 мкм ток примерно в десять раз меньше, чем ток в кристалле, толщина которого всего лишь наполовину меньше. Следовательно, нельзя утверждать, что область низких напряжений является теоретически предсказанной омической областью, которая предшествует переходу в область ТОПЗ. [3]
 |
Карта механизмов ползучести 12Х1МФ. [4] |
В области низких напряжений и высоких температур ( область в) заметное развитие получают процессы рекристаллизации. [5]
В области низких напряжений ( до 100 в) и малых токах ( до нескольких ампер) таким требованиям в достаточно высокой степени удовлетворяют, как показано в третьей главе, транзисторы. В области средних напряжений и широком диапазоне токов основным требованиям ключевых приборов в наибольшей степени удовлетворяют многослойные полупроводниковые приборы, называемые тиристорами. Внутреннее падение напряжения в них минимально ( не превышает 1 - 1 5 в) при токах до 200 - 350 а. Обратные напряжения, выдерживаемые тиристорами, достаточно велики ( до 1000 в и более в одном приборе) и, что особенно существенно, тиристоры имеют весьма большую долговечность. [6]
В области низких напряжений, соответствующих измерениям ПТР, реологические свойства сопоставляемых полимеров практически одинаковы. Но при повышенных т, соответствующих реальным режимам переработки, кривые течения заметно расходятся. Эта скорость оказывается существенно различной для сопоставляемых полимеров с одинаковым ПТР, но различным ММР. [7]
 |
Весовое содержание стекла в пластмассе, армированной стекломатом.| Прочность при растяжении пластмассы, армированной стекломатом. [8] |
В области низких напряжений распределение отклоняется от прямой линии. В рассматриваемом случае распределение не является идеально нормальным. Однако в окрестностях средних значений можно считать, что имеет место практически нормальное распределение. Ранее указывалось, что прочность композита, армированного волокном, может быть подобрана соответствующим образом за счет изменения содержания волокна в материале. При этом разброс прочности может быть сведен к небольшой величине. Однако следует иметь в виду, что в действительности трудно избежать разброса содержания волокна. [9]
В области низких напряжений от 10 МПа скорость ползучести поликристаллических образцов, как правило, прямо пропорциональна напряжению, что соответствует диффузионно-вязкому течению. Когда я1, например я ( 3 - 5), то аап, что соответствует дислокационной ползучести. При дислокационной ползучести даже незначительное увеличение напряжения влечет за собой резкий рост скорости ползучести. [10]
 |
Зависимости разрушающего напряжения при растяжении ор ( / в относительного удлинения при разрыве в ( 2 этрола АЦЭ-55А от температуры. [11] |
В области низких напряжений сдвига расплавы этролов ведут себя как ньютоновские жидкости и характеризуются наибольшей ньютоновской вязкостью т ] нв. При повышении скорости сдвига эффективная вязкость т) снижается. Степень аномалии вязкости увеличивается с понижением температуры в повышением степени полимеризации ацетата целлюлозы. [12]
В области низких напряжений ползучести при интеркристал-литном типе разрушения снижение относительной долговечности обусловлено объединением зернограничных повреждений от ползучести и термоусталости с соответствующим ускоренным достижением состояния материала, характеризующимся минимальной длительной пластичностью. [13]
Однако для области низких напряжений такой расчет приводит к сильно завышенным значениям f / t по сравнению с экспериментальными данными. Это можно объяснить тем, что не весь объем газа, вводимого в расплав, дает вклад в величину свободного объема системы; возможно также, что газ распределяется в расплаве недостаточно равномерно, оставаясь в виде отдельных включений. [15]
Страницы: 1 2 3 4