Область - малое напряжение
Cтраница 2
 |
Значения V и lg т0 для различных систем в температурном интервале 20 - 50 С. [16] |
Наибольшие отклонения наблюдаются в области малых напряжений. Например, при о 0 2тр эти отклонения достигают двух десятичных порядков. По мере увеличения напряжений отклонения уменьшаются, и при а - ( 0 8 - 5 - 0 9) Ор все экспериментальные точки для спиртов укладываются в рассматриваемых кооодинатах на прямые. [17]
Таким образом, в области малых напряжений теория приводит к линейной зависимости туннельного тока от напряжения, что хорошо согласуется с опытом. [18]
 |
Совмещенные характеристики транзистора в схеме ОЭ ( 1-я система. [19] |
Таким образом, в области малых напряжений на коллекторе ( при к 0 ч - 1 в) незначительные изменения напряжения ик сильно влияют на токи транзистора. [20]
Такое поведение дисперсий в области малых напряжений сдвига связано с тем, что водные дисперсии САКАП образуют редкую пространственную структурную сетку, связывающую - ргромное количество растворителя. Структура дисперсий не очень прочна и не выдерживает больших нагрузок. Истинный предел текучести TOI характеризует начало течения из положения равновесия, при этом течение осуществляется с практически неразрушенной структурой. После снятия напряжений структура полностью восстанавливается. Поэтому течение дисперсий при переходе через TOI осуществляется с наибольшей ньютоновской вяз - костью. Условный предел текучести тог является мерой прочности структурного каркаса. При переходе через TOZ наступает разрушение структурной сетки, следствием чего являются все нелинейные эффекты. [21]
Для получения характеристик только в области малых напряжений на коллекторе, в схеме прибора предусмотрено ограничение коллекторного напряжения. Благодаря этому на экране осциллографа в увеличенном масштабе можно получать даже характеристики в области насыщения, когда напряжение на коллекторе очень мало. [22]
 |
Допустимые электрические нагрузки фоторезисторов, выполненных из различных полупроводниковых материалов. [23] |
Эта закономерность нарушается только в области малых напряжений. [24]
Высокие значения U, особенно в области малых напряжений, позволяют говорить о значительной роли термофлуктуационного механизма разрыва химических связей в общем процессе разрушения напряженного полимера в жидкой среде. [25]
 |
Транзистор с общим эмиттером ( а, семейство его выходных ( б и входных ( в ВАХ. [26] |
В результате этого выходные ВАХ в области малых напряжений на коллекторе оказываются заваленными вправо, причем тем сильнее, чем больше ток эмиттера. [27]
Таким образом, наиболее отработанная в области малых напряжений МДП-структура продолжает интеграцию в область больших мощностей в качестве управляющей. [28]
Аналогичные численные значения коэффициентов получаются и для области малых напряжений. [29]
 |
Зависимость потерь на корону от действующего напряжения. Провод АСО-150 ( по данным В. И. Левитова. [30] |
Страницы: 1 2 3 4 5