Область - переключение
Cтраница 1
 |
Обратноориентированная структура с ОУЭ. [1] |
Область переключения находится под управляющим электродом, так как распространение дырочного тока влево по слою рч ограничивает сопротивление растекания этого слоя, а для левой части структуры электронный ток управляющего электрода J G а / базы П2, как уже отмечалось, является запирающим. [2]
На рис. 30 показаны области переключений в десятикамерном кольцевом трохотроне при подаче одиночных отрицательных импульсов сразу на все десять управляющих электродо. По осям отложены амплитуда и длительность входных импульсов. [3]
 |
Схема взаимного положения объектов А я В я области переключения лучей гари регулярном поиске.| Диаграмма перехода от начального состояния г. [4] |
А и В и области переключения лучей показаны на рис. 4.9 а. [5]
Неблагоприятными для анализа спектральными областями являются области переключения источников излучения. [6]
Неблагоприятными для анализа спектральными областями являются области переключения источников излучения. Во многих случаях не удается подобрать А аНал, удовлетворяющую одновременно всем указанным требованиям. Поэтому при выборе аналитической длины волны следует добиваться разумного компромисса, обеспечивающего оптимальные условия анализа. [7]
Неблагоприятными для анализа спектральными областями являются области переключения источников излучения. Во многих случаях яе удается подобрать А анал, удовлетворяющую одновременно всем указанным требованиям. Поэтому при выборе аналитической длины волны следует добиваться разумного компромисса, обеспечивающего оптимальные условия анализа. [8]
Вплоть до напряжения пробоя в обратном направлении или областей переключения в прямом направлении течет относительно малый ток насыщения, или ток утечки. При больших напряжениях происходит резкое возрастание токов из-за таких явлений, как лавинообра-зование, поверхностный пробой, нагревание, смыкание объемного заряда или переключение. Хотя эти процессы могут протекать одновременно, рассмотрим ради наглядности каждый из них отдельно. [9]
 |
Количественный рост числа элементов при разрастании областей переключения G ] j. [10] |
Ранее была показана возможность моделирования динамики нейроподобной структуры с разрастающимися областями Gn переключения возбужденных элементов. [11]
Рассматривая различные фазовые траектории, можно заметить, что в двухслойной области переключений четко выделяется зона В, В, С, С вибраций в пределах, ограниченных двумя линиями переключения. [12]
Использование символической динамики состояния структуры позволяет сравнивать равновероятностный ( марковский) процесс возниковения и разрастания областей переключения с аналогичным процессом при смещении срединной горизонтали распределения вероятностей ( квантиля), то есть с изменением уровня фильтрации значений датчика случайных чисел. Это позволяет использовать порог фильтрации значений датчика случайных чисел как параметр, который задает зависимость эволюциии динамической нейроподобной структуры от фрактальной размерности. [13]
Разрастание областей переключения проводилось на принципе ближнего действия возбужденного элемента на соседние. Первый ряд - номера временных отрезков в относительных величинах, второй ряд - аппроксимация по точкам роста числа переключенных элементов. [14]
Предистория системы определяется как функция вероятности ее состояния. Таким образом, разрастание областей переключения может быть представлено кодовой последовательностью случайных матриц состояния, формирующихся на каждом временном шаге. [15]
Страницы: 1 2