Область - перекрытие - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 3
Мы не левые и не правые, потому что мы валенки Законы Мерфи (еще...)

Область - перекрытие

Cтраница 3


Обобществленные электроны чаще всего находятся в области перекрытия, поскольку там на них действуют силы притяжения обоих ядер, что приводит к уменьшению энергии электронов. Следовательно, в области перекрытия электронных оболочек возрастает плотность отрицательного заряда, способствующего сближению ядер взаимодействующих атомов, в результате чего молекула становится устойчивой.  [31]

Действительно, рассмотрим произвольную точку из области перекрытия в плоскости а, которой приписано значение О.  [32]

Здесь чертой обозначены средние значения в области перекрытия спектров.  [33]

Но заметим, что такое свойство областей перекрытия фотографий - признак необходимый, но, вообще говоря, не достаточный для определения идентичности изображенных на фотографиях участков звездного неба. Действительно, нельзя исключать возможность того, что такое совпадение произошло случайно ( даже если, как мы условились, совмещение выполнено точно, и на самом деле мы имеем дело с различными созвездиями. Но если нашлось несколько контрольных фотографий ( напомним, что координаты их границ известны), которые перекрываются с исходным снимком указанным образом, то результат совмещения будет более надежным. В любом случае окончательное заключение о правильности совмещения может быть вынесено только специалистом на основе сравнения с имеющимися уже картами звездного неба.  [34]

При достаточно большом напряжении f / си область перекрытия может распространиться вплоть до истока и происходит полное ( сквозное) перекрытие канала. Оно соответствует смыканию обедненных слоев обоих р-л-пере-ходов и обычно наблюдается в транзисторах с коротким каналом. Величина L - - 0, а напряженность продольного электрического поля на участке L резко возрастает. Большое значение gv непосредственно у истока снижает потенциальный барьер на его границе и резко увеличивает ин-жекцию электронов из истока, которые сильным полем быстро переносятся в сток. Таким образом, сквозное перекрытие является разновидностью пробоя. Процессы при сквозном перекрытии принципиально отличаются от процессов при запирании. В обоих случаях канал исчезает, но в первом случае напряженность электрического поля § у велика, а во втором - стремится к нулю.  [35]

Учитывая изменение W ( a) и области перекрытия волновых функций, мы можем прийти к выводу, что меняется как обменный интеграл A ( s), так и величина опускания уровней энергии С, которые мы ввели в теории квазисвязанного электрона. Это приводит в свою очередь к изменению ширины запрещенных зон и зон энергии.  [36]

Учитывая изменение IF ( а) и области перекрытия волновых функций, мы можем прийти к выводу, что меняется как обменный интеграл A ( s), так и величина опускания уровней энергии С, которые были введены в теории квазисвязанного электрона. Это приводит в свою очередь к изменению ширины запрещенных зон и зон энергии.  [37]

38 Расчетные зависимости тока от напряжения на р - и-переходе туннельного диода. [38]

Множители g ( E) равны нулю вне области перекрытия зон, а внутри этой области они равны единице.  [39]

40 Иллюстрация дифракции в плоскости детектора. Амплитуда света на детекторе является суммой амплитуд нулевого Ro. o и некоторого числа дифракционных порядков. На рисунке изображен порядок У. с центром в точке ( 2 / р, / q. [40]

VD будет присутствовать в сигнале детектора тогда, когда области перекрытия двух таких порядков находятся на поверхности детектора.  [41]

42 Метод деления волнового фронта при голографировании прозрачных предметов.| Метод деления волнового фронта при голографировании отражающих предметов. [42]

Микроскоп устанавливают таким образом, чтобы объектив помещался в области перекрытия пучков.  [43]

Такое перераспределение ионов сопровождается местным изменением их концентрации как в области перекрытия ( особенно значительным), так и в окружающем растворе электролита, что приводит к появлению в системе добавочных осмотических сил в соответствии с законом Вант-Гоффа о прямой зависимости между осмотическим давлением и концентрацией раствора. Энергии отталкивания соответствует дополнительное, сверх гидростатического, так называемое расклинивающее давление, которое возникает, по Деря-гину, в тонком слое.  [44]

В теории Дерягина - Ландау187 рассматривается предельный случай, когда область перекрытия диффузных слоев настолько мала, что можно пренебречь деформацией каждого из них.  [45]



Страницы:      1    2    3    4