Область - пленка
Cтраница 1
 |
Сравнение толщин жидкой пленки в аргоно-водяной и аргоно-спиртовой смесях в восходящем потоке ( DBH 1 5 р 21 8 кг / см2. комнатная температура. [1] |
Область пленки исследовалась и теоретически с целью отыскания соотношения между толщиной и расходом пленки. Можно определить профиль скорости в пленке, если задано соотношение между касательным напряжением и скоростью. [2]
В области II пленки обладают физически несплошной, сетчатой структурой, однако островки электрически соединены друг с другом. Удельное сопротивление и его температурный коэффициент зависят от относительного объема сплошных участков пленки, и каждая из этих величин является суммой двух составляющих, связанных со сплошной и несплошной частями пленки. [3]
Между двумя областями пленки, намагниченными встречно в неоднородных полях, образуется граница, имеющая зубчатую зигзагообразную форму с острыми и частыми зубцами. Такая форма границы связана с тем, что магнитостатическая энергия ( или энергия полей рассеяния) уменьшается при переходе от прямоугольной границы к ломаной и при некоторой густоте и длине изломов становится минимальной. [4]
Сужение в шейку приводит к утолщению краевой области пленки. [5]
Электрический контакт с нижним электродом конденсатора обеспечивается предохранением области пленки от окисления во время анодирования или удаления окисла из области контакта после того, как завершено анодирование. Окисел может быть удален механическим путем, после чего осуществляется соединение с помощью проводящей серебряной краски. Этот метод требует высокого мастерства, чтобы не повредить других областей конденсатора. [6]
В случае тонких пленок и, в частности, в области пленок толщиной только в несколько слоев окисла, электрическое поле должно оказаться настолько сильным, что катионы, если даже они и не обладают достаточной тепловой энергией, чтобы покинуть решетку, будут вырываться из нее и реагировать с кислородными анионами. Этот процесс будет продолжаться с уменьшающейся скоростью из-за уменьшения напряженности поля по мере того, как толщина окисла растет. Другим фактором, уменьшающим напряженность поля и скорость реакции, является образование вакантных узлов в решетке, возникающих в результате диффузии катионов. Чем больше образуется окисла, тем большее число вакантных узлов возникает на поверхности раздела между металлом, и окислом, и в конечном итоге образуется барьер, препятствующий диффузии катионов. Возникновение этого барьера из вакантных узлов увеличивает эффективную толщину пленки окисла, или, более точно, уменьшает напряженность поля. [7]
AQ ( / / /), где Hf - толщина плоскопараллельной области круглой симметричной пленки, идеализированный профиль / / ( г) образует с плоскостью пленки контактный угол 0 /, при этом Tf принято считать радиусом круглой пленки. [8]
Если головка нити приближается к другой, старой нити, то она достигает области пленки, которая, вследствие участия в процессе образования этой старой нити, обеднена органическими и неорганическими анионами, необходимыми для создания в головке большой концентрации солей двухвалентного железа. Обеднена она и катионами, необходимыми для достижения высоких значений рН на периферии головки. Это препятствует дальнейшему росту нити по направлению к старой нити. Но, по-видимому, еще существеннее, что уже накопленные и вновь образующиеся ионы ОН, а также еще более интенсивное снабжение кислородом гарантирует, что тело старой нити остается катодом и способствует тому, что приближающаяся анодно заряженная головка меняет направление движения. Если в результате отслоения пленки из головки нити удаляется электролит, то при подходе головки к телу старой нити рост нити прекращается. Это действительно иногда наблюдается на практике. [9]
Вывод соответствующих уравнений аналогичен уже рассмотренному выше и отличается лишь тем, что слой пространственного заряда в поверхностных областях пленки, которым можно пренебречь при изучении толстых пленок, теперь занимает значительную долю толщины пленки. Это необходимо принимать во внимание при расчете распределения потенциала и его влияния на диффузию дефектов через пленку. Кроме того, изменение кинетических закономерностей вследствие изменения глубины слоя пространственного заряда может происходить при достижении критической толщины пленки. При изучении роста очень тонких пленок необходимо принимать во внимание возможность ограничения скорости роста процессами переноса по поверхности пленки, а не переносом через пленку. [10]
Если в порах имеется только мениск или короткая пленка, то с механизмом молекулярной диффузии вглубь жидких пор следует сопоставлять генерацию тока в области пленки. [11]
Если в порах имеется только мениск пли короткая пленка, то с механизмом молекулярной диффузии вглубь жидких пор следует сопоставлять генерацию тока г, области пленки. [12]
 |
Зависимость / 2Д от ф при различных 1. [13] |
Появление точки перегиба на кривой 2 означает, что в верхней части пленки, где потенциалы малы, во-дород в основном поглощается, диффундирует вниз и разряжается частично в области пленки, где а 0, а частично - в области раствора. [14]
 |
Зависимость J / J от г 0. [15] |
Страницы: 1 2 3