Cтраница 1
Область локального сильного поля характеризуется сильным искривлением энергетических зон, в результате чего создаются условия для туннельных переходов в направлении к острию основных носителей заряда: электронов - к положительному острию и дырок - к отрицательному. Взаимодействие в процессе ударной ионизации электронов и дырок проводимости с электронами, участвующими в образовании химических связей, приводит к нарушению соответствующих связей и переходу твердого вещества диэлектрика в состояние частично ионизированной газовой плазмы в направлении движения потока носителей заряда. Образуется начальный участок первичного канала пробоя, потенциал электрода выносится в его головную часть, и далее процесс идет непрерывно до тех пор, пока этот канал не пересечет весь разрядный промежуток. [1]
Теоретические вольт-амперные характеристики НЖК на постоянном ( 1, 2 и переменном ( Г, 2 токе. [2] |
Области слабого, среднего и сильного поля обозначены цифрами /, / / и / / / соответственно. [3]
В области сильного поля имеется широкий синглет, в слабом поле - два хорошо выраженных пика и между ними слабо разрешенные сигналы, возникающие от трех атомов бора, непосредственно связанных с атомом железа. [4]
В области сильного поля перед головкой идет ионизация молекул воздуха ударами электронов. [5]
В области сильного поля находится сипглет, относящийся к протонам СН3 - групп. [6]
Структура диода Рида.| Эквивалентная схема ЛПД. [7] |
Дырки, генерируемые в области сильного поля у р - п перехода, сваливаются в р - область, а генерируемые электроны инжектируются в пролетное пространство, где они совершают работу, вследствие которой во внешнюю цепь передается высокочастотная энергия. [8]
Форма импульсов тока в диоде Гання.| Зависимость скорости элек. [9] |
Поэтому со стороны катода к области сильного поля примыкает отрицательный объемный заряд, обусловленный догоняющими эту область быстрыми электронами с большой подвижностью. Со стороны анода к области сильного поля примыкает положительный объемный заряд, возникший на месте обгоняющих область сильного поля быстрых электронов. [10]
Положительные т-значения отвечают сдвигам в область сильного поля. [11]
VI мы возвращаемся к рассмотрению области сильного поля черной дыры, на этот раз для изучения гравитационных возмущений, которые могут вызывать существенные изменения горизонта. Мы развиваем здесь мембранный подход применительно к этим гравитационным возмущениям по аналогии с электромагнитным мембранным подходом, описанным в гл. [12]
Отсутствие экспериментальной проверки теории Эйнштейна в области сильного поля, именно там, где предсказания этой теории носят весьма специальный характер, оставляет в принципе открытой возможность для развития других, отличных от теории Эйнштейна теорий гравитации. За время, прошедшее с момента создания общей теории относительности, такие попытки предпринимались неоднократно. Основные расхождения касаются формы уравнений самого гравитационного поля. [13]
Схема профиля зоны при условии короткого замыкания. [14] |
Как видно на рис. 5.4.2, поле распределяется на область сильного поля ( W2 и W3) и область слабого поля внутри j - слоя. [15]