Cтраница 3
В пространственно неоднородном электрическом поле частица перемещается в область больших полей, если ее индуцированный дипольный момент ориентирован по полю, а при противоположной ориентации - в область слабых полей. [31]
Для комплексов с - конфигурацией сигналы ЯМР размещаются в области сверхслабых полей, далеко за пределами шкалы нормальных химических сдвигов. Величина сдвигов контролируется энергией спин-орбитального взаимодействия. [32]
Большая часть проблем электротехники и лабораторной физики относится к области медленно меняющихся полей. На вопрос о том, по сравнению с чем поля меняются медленно, трудно ответить несколькими словами. [33]
Схема изменения доменной структуры при намагничивании.| Магнитная восприимчивость ферромагнитного вещества Процессы смещения играют. [34] |
Процессы вращения играют основную роль ( ХВР ХСМ) в области полей, больших тех, которые соответствуют максимуму на кривой Столетова. Процессы смещения заканчиваются с исчезновением доменной структуры, а процессы вращения - при полном насыщении материала. [35]
Кривые намагничивания Gd2 ( SO4 3. рассчитанные по при S 1 / 2 ( /, S 7 / 2 ( 2 и S ос (.. экспериментально полученная при Т 1 3 К ( 4. [36] |
Таким образом, теория хорошо описывает поведение парамагнетиков во всей области полей, от малых до больших, правильно указывает на существование явления насыщения намагничивания в больших полях. [37]
Таким образом, теория хорошо описывает поведение парамагнетиков во всей области полей от малых до больших, правильно указывает на явление насыщения намагничения в больших полях. [38]
Особый интерес для определения параметров МДП структуры при освещении представляет область сильных инверсионных полей, поскольку здесь теоретические соотношения получаются наиболее простыми и наглядными, а интерпретация экспериментальных данных оказывается достаточно однозначной. Проанализируем этот частный случай более детально. [39]
При повышении напряженности электрического поля, приложенного к диэлектрику ( в области полей 10Ч - 108 В / см), наблюдается увеличение электропроводности диэлектрика. Ток возрастает с напряжением примерно экспоненциально и затем при некотором значении напряженности поля увеличивается скачком до очень больших значений - происходит пробой диэлектрика. Протекание больших токов ведет к разрушению материала; диэлектрические свойства, как правило, после снятия напряжения не восстанавливаются. При пробое диэлектрика его электропроводность резко возрастает и диэлектрик становится проводником. Пр), при которой происходит пробой диэлектрика, называется электрической прочностью. Различают три основные формы пробоя твердых диэлектриков. [40]
Зависимость химического сдвига сигнала протона гидроксильной группы алкилфенолов от суммарного объема орто-алкильных заместителей. [41] |
С ростом электроотрицательности пара-заместителя происходит сдвиг сигнала протона гидроксильной группы в область низких полей, причем этот сдвиг коррелируется с ар-величинами заместителей. [42]
Во избежание магнитного поглощения устройства [297] с фарадеевским вращением должны работать в области полей, далекой от резонанса. На низких частотах это условие трудно обеспечить, так как ферромагнитный резонанс может существовать, когда феррит еще ненасыщен. [43]
Теоретические ( сплошная линия и экспериментальные ( крестики значения добротности Qe для ИЖГ резонатора в полос. [44] |
Разумеется, если полосковая линия настолько узка, что сфера попадает в область краевых полей, то такое приближение приведет к заметным ошибкам. [45]