Cтраница 5
![]() |
Пространственное распределение темных и светящихся зон, напряженность электрического поля X, потенциала U, плотностей пространственного заря. [61] |
Изменение расстояния между катодом и анодом влияет лишь на длину положительного столба, а изменение давления ведет к обратно пропорциональному изменению длины прикатодных и прианодных областей разряда. [62]
Если в качестве такого промежуточного продукта используют атомы, то их получают в разряде, а стабильный реагент вводят в газовый поток за пределами области разряда, предотвращая его разложение в разряде. [63]
Химический состав конечного продукта разложения в плазме определяется поглощенной разрядом ВЧ-мощиостью, которая определяется плотностью электронов в плазме, напряженностью и частотой электрического поля, а также давлением в области разряда. Предположение о решающей роли поглощенной мощности подтверждается влиянием постоянного электрическс-го поля на процесс разложения в разряде. На рис. 8 - 29 представлена зависимость содержания Si02 в пленке от наложенного на разряд постоянного напряжения. Очень важно, что присутствие постоянного напряжения влияет не только па химический состав пленок, но и на скорость их роста. При наложении на разряд напряжения 1000 в скорость роста падает более чем в 2 раза. [64]
Это уравнение гораздо проще ( 12), а точность получаемых результатов практически не отличается от расчетов, проведенных по уравнению ( 12), так как разрядный ток в области поднормального разряда пренебрежительно мал по сравнению с током аномального разряда. [65]
![]() |
Распределение потенциала в дуговом ( 1 и тлеющем ( 2 разрядах. [66] |
Здесь индекс 1 ( а также кривая /) относится к дуговому разряду, индекс 2 ( кривая 2) - - к тлеющему; d - длина прикатодной области разряда; / - длина области разряда, называемой областью столба разряда, где характеристики разряда наиболее устойчивы, а напряженность поля постоянна по длине области. [67]
На основании вышесказанного можно предположить, что если пленки, получаемые методом ионного распыления, располагаются на некотором расстоянии от области тлеющего разряда, их свойства будут сильно отличаться от свойств пленок, которые получаются в области разряда. [68]