Область - расслоение
Cтраница 2
Характеристика системы: область аморфного расслоения находится выше температур. [16]
Равновесие при пересечении области расслоения с ликвидусом носит монотектический или синтектический характер. Синтек-тическое равновесие может появиться только в системах, в которых образуются твердые растворы, в результате чего поверхность ликвидуса имеет максимум, обращенный кверху. Монотек-тическое равновесие, если расслоение одновременно происходит в двух частных двойных системах, может переходить в синтекти-ческое и наоборот. [17]
Во всех системах области расслоения по площади почти одинаковы, несколько больше в системе с МДАМ. Ноды идут параллельно и, только приближаясь к предельной ноде, несколько расходятся. [18]
Наличие открытых или скрытых областей расслоения на фазовых диаграммах соответствующих систем, причем состав выбранной смеси должен лежать в этих областях или вблизи них. [19]
 |
Диаграмма плавкости тройной системы с монотектическим равновесием в одной двойной системе.| Проекция диаграммы плавкости тройной системы с монотектическим равновесием в двух двойных системах. [20] |
Для поверхности ликвидуса в области расслоения характерно, что фигуративным точкам сопряженных жидких фаз присуща одна и та же температура. [21]
Внутри кривой amb находится область расслоения раствора на две фазы. Вне этой области все три жидкости растворимы неограниченно. [22]
 |
Фазовые диаграммы. системы Co-Си ( a, Au-Bi ( б [ ]. [23] |
Первое уравнение соответствует присутствию области расслоения ( см. рис. 8.13), критическая температура в которой выше перитектической температуры. [24]
 |
Фазовая диаграмма системы Al-Zn. Штриховая диаграмма, построенная Халтгреном и др. [ l ], дана в сравнении с построенной компьютером. [25] |
Как и в случае области расслоения вблизи критической точки, значение Xfs полученное с помощью уравнений (8.82) для произвольного DT, становится исходной точкой итерации по методу Ньютона - Рафсона, которая в свою очередь определяет исходную точку прямого метода. [26]
В этой системе имеется также область расслоения в жидкой фазе при высоком содержании SiO2, причем при 1698 С содержание S1O2 в равновесных жидких слоях составляет 74 и 99 4 вес. [27]
В этой системе имеется также область расслоения в жидкой фазе при высоком содержании SiO2, причем при 1698 С содержание SiO2 в равновесных жидких слоях составляет 74 и 99 4 вес. [28]
Недопустимыми считают изолированные расслоения или области взаимодействующих расслоений, имеющие продольный размер в плане более 2 67t, а также группы расслоений, образующие области взаимодействующих расслоений, в которых максимальная разница в уровнях расположения отдельных расслоений составляет более 50 % толщины стенки конструкции. [29]
Недопустимыми считают изолированные расслоения или области взаимодействующих расслоений, имеющие продольный размер в плане более 2 671, а также группы расслоений, образующие области взаимодействующих расслоений, в которых максимальная разница в уровнях расположения отдельных расслоений составляет более 50 % толщины стенки конструкции. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5