Cтраница 1
Область рабочих температур в этом случае определяется перерабатываемым продуктом. Например, отходы ПВХ и побочные продукты выше 200 С отщепляют хлороводород, а при дальнейшей термической обработке ( выше 400 С) разлагаются на технический углерод и углеводороды. [1]
Область рабочих температур в этом случае определяется перерабатываемым продуктом. Например, отходы ПВХ и побочные продукты выше 200 С отщепляют хлоро-водород, а при дальнейшей термической обработке ( выше 400 С) разлагаются на технический углерод и углеводороды. Жидкофазный пиролиз полистирола при температурах выше 350 С ведет к образованию стирола с высоким выходом. [2]
Область рабочих температур волокон из некристаллизующихся полимеров ограничена уровнем их температуры стеклования, выше которой их деформация носит характер необратимого пластического течения. Способность полиэтилентерефталата легко кристаллизоваться в ходе технологических операций во многом определяет успех и свойства полиэфирного волокна. [3]
Область рабочих температур оксидного катода заключена между 700 и 900 С. В импульсных режимах работы его экономичность может достигать 1000 - 10000 ма / вт. В статическом режиме для увеличения долговечности лампы снижают снимаемый с катода электронный ток в 100 - 1000 раз, и рабочая экономичность колеблется от 10 до 40 ма / вт. [4]
Построение семейства ВАХ варистора.| Характеристика позистора. a - температурная. б - ВАХ. в - зависимость ТКЛ от температуры. г - зависимость постоянной нелинейности от температуры. [5] |
Обычно область рабочих температур не захватывает значений, соответствующих повышенному отрицательному ТК К, и ВАХ не имеет максимума по напряжению. Нелинейность ВАХ позистора обусловлена не только температурой, но и напряженностью электрического поля - он является одновременно терморезистором и варистором. Его варистор-ные характеристики можно наблюдать на экране осциллографа, если питать позистор переменным напряжением, период которого на порядок меньше тепловой постоянной времени. Эти характеристики имеют вид экспоненты, изменяющейся в зависимости от температуры. [6]
В области обычных рабочих температур рассеяние обусловлено главным образом фононами иионизированными примесями. [7]
В области обычных рабочих температур рассеяние обусловлено главным образом фононами и ионизиро в / энными примесями. [8]
В зависимости от области рабочих температур различают низкотемпературные ( до 150 С), среднетемпературные ( 170 - 350 С) и высокотемпературные ( 500 - 1100 С) топливные элементы. Давление, при котором находятся рабочие вещества, может быть в пределах 1 - 100 бар. Важное значение имеет также материал электродов. Скорость реакции при использовании обычных металлических электродов очень мала, а поскольку она пропорциональна поверхности электрода, то часто используют пористые электроды из угля или металлокерамики. Для еще большего повышения скорости реакции на пористые электроды наносят каталитически активные благородные металлы, в частности платину или палладий. Несмотря на это проблема электродов удовлетворительно решена сегодня только для водородкислородных топливных элементов. [9]
Хроматографические колонки. [10] |
В газовой хроматографии область рабочих температур обычно в диапазоне 273 - 673 К. Выбранная температура должна быть постоянной ( 0 1), что осуществляется с помощью термостатов. [11]
Прямые испытания в области рабочих температур подтвердили полученные ранее экстраполяцией высокий уровень прочностных и достаточный запас пластических свойств. [12]
Сульфид цинка в области рабочих температур обжига ( 900 - 1050 С) претерпевает полиморфное превращение, переходит из сфалерита в вюрцит, и это существенно сказывается на динамических свойствах процесса. [13]
Коэффициент теплопроводности титана в области рабочих температур ( 20 - 400 С) составляет 0 057 - 0 055 кал / ( см-с - С), что примерно в 3 раза меньше теплопроводности железа, в 16 раз меньше теплопроводности меди и близко к теплопроводности нержавеющих сталей аустенитного класса. [14]
Таким образом, в области рабочих температур Tt Т Тs в полупроводнике с температурой возрастает концентрация неосновных носителей заряда, что оказывает серьезное влияние на ряд важнейших параметров полупроводниковых приборов. [15]