Область - вольт-амперная характеристика
Cтраница 1
 |
Зависимость тока / Макс германиевого ТД от температуры при различных концентрациях носителей. [1] |
Область вольт-амперной характеристики, обусловленная туннельным механизмом переноса носителей заряда, зависит от температуры в меньшей степени. Влияние температуры на ток / макс зависит от концентрации примеси. [2]
Система статических параметров полупроводниковых диодов описывает их в одной из трех областей вольт-амперных характеристик ( ВАХ), обозначенных на рис. 2.5 а римскими цифрами. [4]
При разработке переключательных схем иногда надо знать проводимость gc не в пологой области вольт-амперной характеристики, а в крутой. [5]
 |
Синусоидальная зависимость изменения амплитуды А от частоты. [6] |
Значит, AU / AI О или u / i О для области вольт-амперной характеристики туннельного диода, заключенной между точками А и В. Если г, дин 0, то знаменатель становится близким к нулю, и схема начинает работать как усилитель. Напряжение и6ат создает постоянный ток, или смещение, которое смещает рабочую точку в область отрицательного сопротивления. Безусловно, во всяком усилительном приборе необходимо иметь источник питания. [7]
Значит, Д ( 7 / Д / 0 или н / г0 для области вольт-амперной характеристики туннельного диода, заключенной между точками А и В. Если rt дин0, то знаменатель становится близким к нулю и схема начинает работать как усилитель. Безусловно, во всяком усилительном приборе необходимо иметь источник питания. [8]
 |
Схема простейшего ключа ( а и эквивалентная схема его ( б. [9] |
При расчете длительности фронта выходного импульса удобно воспользоваться выражением, характеризующим работу транзистора в пологой области вольт-амперных характеристик. Такой подход приводит к незначительным погрешностям, однако существенно упрощает расчет. [10]
Из соотношения сигналов на входе и выходе следует, что входной транзистор работает в пологой области вольт-амперной характеристики. [11]
Для нахождения аналогичной зависимости Армстронгом предложена методика вычисления подвижности носителей на основании формулы тока стока крутой области вольт-амперной характеристики. [13]
 |
Структура МДП-транзистора с плавающим затвором и лавинным размножением электронов.| Структура МДП-транзистора с плавающим затвором и канальной ин-жекцией. [14] |
Обычно для МДП-транзисторов с плавающим затвором рассчитывают два режима: отсечки и насыщения, соответствующего пологой области вольт-амперной характеристики. [15]
Страницы: 1 2