Область - верхняя частота
Cтраница 1
Область верхних частот не анализируется, так как нет ллний, размещенных вне магнитопровода. [1]
Областью верхних частот называется область, в которой приходится считаться с ответвлением тока в емкости Свх и С вых. [3]
В области верхних частот необходимо учитывать барьерные емкости коллекторных переходов транзисторов, сопротивления которых снижаются с ростом частоты, шунтируя нагрузку и уменьшая ее сопротивление. [4]
В области верхних частот устройство аналогично приведенному на рис. 12.9, а, но при прочих равных условиях имеет меньшую развязку ввиду большей длины линий. [5]
Для области верхних частот применительно к схеме ( рис. 12.27) можно считать, что средний полосковый проводник каждого ТЛ является экраном между крайними проводниками. Последними могут служить также внутренние проводники коаксиальных кабелей, а их спаренные внешние проводники образовывать средний проводник каждого ТЛ. [6]
В области верхних частот необходимо рассмотреть процесс прохождения колебаний по всем линиям устройства. При условии, что волновые сопротивления линий 1 7 к 10 одинаковы и равны R ( и всех остальных также), в линии /, 8 и 10 поступят без отражения равные токи и напряжения. В результате этого напряжение на резисторе R / 6 будет равно нулю и его можно считать короткозамкнутым. Поэтому равные колебания продолжают без отражения распространяться далее по линиям 2 и 7, имеющим то же волновое сопротивление. [7]
Для области верхних частот остаются справедливыми формулы (13.11) - (13.13) с тем лишь отличием, что первая из них верна только для четных v, а для нечетных v всегда Zv W. Развязка между входами сохраняется высокой ( штриховые линии на рис. 13.18); при нечетных k имеет место полная развязка между любым из входов ( 1 - N12) и остальными. [8]
В области верхних частот емкость, шунтирующая схему ( аналогичная емкости С0 в ламповой схеме), обычно роли не играет. Это объясняется малым входным сопротивлением полупроводникового триода. Действительно, сопротивление емкости 15 пф ( такого порядка может оказаться шунтирующая емкость) даже на частоте 1 Мгц равно приблизительно 10 ком, что значительно больше, чем упомянутое входное сопротивление. [9]
В области верхних частот можно ожидать уменьшения коэффициента усиления из-за шунтирующего действия паразитных емкостей ( рис. 9 - 1, г), реактивное сопротивление которых падает с ростом частоты. [10]
В области верхних частот на выходное сопротивление усилительного каскада оказывают существенное влияние межэлектродные емкости транзистора. [11]
В области верхних частот необходимо учитывать влияние индуктивности рассеяния Ls и емкости Сг, так как сопротивление & LS и проводимость соСз растут с увеличением частоты. [12]
В области верхних частот учитывают влияние паразитных параметров трансформатора и реактивных составляющих нагрузки. [14]
В области верхних частот можно не учитывать влияние индуктивности LI, так как ее сопротивление QBLj очень велико. В этой части диапазона основное влияние на работу оказывают индуктивность Ls и емкость С0 ( фиг. В области средних частот в параллельном контуре, состоящем из индуктивности LI и емкости С0, может возникнуть резонанс. Эквивалентное сопротивление контура при резонансе становится очено большим, а ток, ответвляющийся в этот контур, незначительным ( фиг. [15]
Страницы: 1 2 3 4