Область - низкая частота
Cтраница 3
В области низких частот шум, как видно из рисунка, обратно пропорционален частоте. В области средних частот зависимость шума от частоты следует соответствующей кривой приемника, здесь шум вызван флюктуациями генерации и рекомбинации носителей. Когда носители освобождаются за счет тепловых колебаний решетки, шум называется генерационно-реком-бинационным. Когда они освобождаются за счет излучения фона, шум называется фотонным. Поскольку в фотогальванических и фотоэлектромагнитных приемниках эти флюктуации наблюдаются только в процессе генерации, шумы этого типа в указанных приемниках в 1 / 2 раз меньше, чем в фотосопротивлениях. В этом случае шум может быть уменьшен за счет сужения телесного угла, в котором приемник видит фон. В области высоких частот доминирующим является белый тепловой шум. [31]
 |
Пьез о адаптер. [32] |
В области низких частот ( сог2С2) - 2 в числителе подкоренного выражения (6.13) возрастает и, следовательно, подбором постоянной времени г2с2 можно увеличить чувствительность адаптера до величины, требуемой стандартной кривой рис. 6.4. На высоких частотах растет знаменатель за счет слагаемого ( cor2Ci) 2, позволяя получить необходимое снижение чувствительности. [33]
 |
Спектр собственных частот помещения ( а и временная структура реверберирующего сигнала в нем ( б. [34] |
В области низких частот, соответствующих малым значениям чисел k, mt п, собственно частоты отделены друг от друга сравнительно большими интервалами. Спектр собственных частот имеет здесь существенно дискретную структуру. В области более высоких частот спектр заметно уплотняется, интервалы между смежными собственными частотами сокращаются и число собственных колебаний в заданном участке спектра быстро увеличивается. Такие формы отмечены на рис. 7.1, а удлиненными линиями. Стоящие над ними цифры указывают число форм с совпадающими частотами. [35]
 |
Частотная зависимость коэффициента шума. [36] |
В области низких частот, как уже отмечалось, шумы транзистора обусловлены рекомбинационными шумами. [37]
В области низких частот таким сопротивлением является сопротивление холостого хода. [38]
Исследуется область низких частот, поэтому считаем, что все сопротивления активные, а коэффициент передачи / ( 21Э от частоты не зависит. [39]
В области низких частот на эквивалентной схеме выходной цепи усилителя на полевых транзисторах ( рис. 6.44 0) не показана цепочка СиЯи, так как влияние емкостей Си и С2 следует учитывать раздельно, пользуясь методом суперпозиции. [40]
В области низких частот рассеивание ( диссипация) энергии в неполярном диэлектрике относительно невелико, но количество рассеянной энергии быстро увеличивается с повышением частоты. Поэтому понятно, какое важное значение имеет величина tg6 и ее температурно-частотные изменения, особенно при выборе высокочастотных диэлектриков. [41]
В области низких частот рассеяние ( диссипация) энергии в диэлектрике относительно невелико, но количество рассеянной энергии быстро увеличивается с повышением частоты. Поэтому понятно, какое важное значение имеет величина tg б и ее изменения с температурой и частотой, особенно при выборе диэлектриков для работы при высоких частотах. [42]
В области низких частот сопротивление разделительных конденсаторов становится заметным, что ведет к снижению коэффициента усиления. Частота сом находится так же, как и для предыдущего каскада, а частоту со. Выражение для этой частоты будет получено несколько ниже. [43]
В области низких частот реактивное сопротивление конденсаторов СП-CI4 велико, поэтому коэффициент передачи определяется положением движка резистора R24; положение движка резистора R20 в данном случае безразлично. Переменные резисторы R20, R24 должны иметь функциональную зависимость группы В. [44]
В области низких частот добротность изменяется прямо пропорционально, а в области высоких частот - обратно пропорционально частоте о. Ограничив снизу значение добротности QB10 на основании равенств ( 2 - 26) и ( 2 - 27), получаем частотный диапазон варикапа: сймин10 / ( Сбаргд. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5