Область - высшая частота
Cтраница 3
Третьей причиной снижения коэффициента усиления в области высших частот является наличие емкости в цепи нагрузки. В рассматриваемой схеме, выполненной на биполярных транзисторах, входная емкость каскада столь мала, что ее влиянием на предшествующий каскад можно пренебречь. [31]
При наличии емкости Си искажения в области высших частот возрастают. [32]
При использовании пентодов частотные искажения в области высших частот увеличиваются. [33]
Величина Ra известна из расчета усилителя в области высших частот. [34]
 |
Эквивалентные схемы и частотные характеристики усилительного каскада на биполярном транзисторе в области средних ( а, низших ( б и высших ( в частот. [35] |
С влияет на работу усилительного каскада в области высших частот. [36]
 |
Схема каскада с параллельным LC-контуром ( а и. [37] |
Для коррекции частотных характеристик широкополосных усилителей в области высших частот независимо от элементной базы, используемой для построения усилителя, широко применяются час-стотонезависимые и комплексные отрицательные обратные связи. [38]
RH) определяется из расчета транзисторного каска-да в области высших частот и рассматривается. [39]
Недостатком каскада является также сужение полосы пропускания в области высших частот и в особенности снижение степени его устойчивости. [40]
Проверяем R0 из условия допустимых частотных искажений в области высших частот. [41]
Кроме того, у многих типов биполярных транзисторов в области высших частот необходимо учитывать уменьшение р при возрастании со. [42]
 |
Эквивалентные схемы транзистора. а - П - образная схема с общим эмиттером. б - Т - образная схема с общей базой. [43] |
Кроме того, Lr влияет на фазо-частотную характеристику в области высших частот. [44]
Таким образом, на завал частотной характеристики усилителя в области высших частот влияет индуктивность рассеивания трансформатора, которую желательно иметь возможно меньшей. Однако, чем выше требования, предъявляемые к индуктивности рассеивания, тем сложнее изготовление трансформатора. Практически получить индуктивность рассеивания меньше 0 1 % от L, не удается. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5