Область - гомогенность - твердый раствор
Cтраница 1
Область гомогенности твердого раствора на основе BiPd невелика; в работе 2 ] пришли к выводу, что ее ширина Ч % ( ат. [1]
 |
Теплосодержание нитридов титана в интервале температур 1003 - 298 К. [2] |
По-видимому, в пределах области гомогенности твердого раствора азота в титане средняя теплоемкость также линейно зависит от индекса при азоте. [3]
Как видно из рисунков, с увеличением значения х область гомогенности твердых растворов смещается в сторону избытка теллура. Кроме того, снижается температура отжига, необходимая для получения образцов n - типа электропроводности. В области концентрации носителей заряда, превышающей 5 - Ю17 см 3, полученные зависимости полностью совпадают для кристаллов, выращенных различными методами. Вблизи стехио-метрического состава наблюдается расхождение линий солидуса для кристаллов, выращенных из расплава и из газовой фазы. Это, по-видимому, обусловлено меньшим содержанием остаточных примесей в кристаллах, полученных газофазным методом. [5]
Область гомогенности твердых растворов в р-гафнии составляет 13 масс. % рения при 1250 С и 16 масс. % рения при 1500 С. [6]
 |
Параметр элементарных ячеек твердых растворов систем ТЬ203 - Ег203 ( верхняя кривая и ТЬОЖ-Ег203 ( нижняя кривая.| Содержание кислорода в окислах системы ТЬО - Ег2О3. [7] |
Обнаружены две серии твердых растворов: типа В и типа С. Область гомогенности моноклинного твердого раствора В простирается при 1800 от 20 до 30 мол. [8]
 |
Диаграмма фазовых - Re-С при 1500 С. [9] |
Карбид вольфрама WC ограниченно растворяется в карбиде гафния. При температуре 2000 С растворимость WC в HfC составляет 40 мол. При температуре 2300 С область гомогенности твердого раствора WC в HfC распространяется до 60 мол. [10]
Состав твердого раствора термоэлектрического материала обычно подбирается таким образом, чтобы можно было получить максимальное значение отношения подвижности к теплопроводности решетки. Однако зависимость этого отношения от состава, как правило, довольно слабая. Изменяя составы твердого раствора, можно достичь попутно и других целей, например увеличить ширину запрещенной зоны, оптимизировать эффективную массу, сдвинуть область гомогенности твердого раствора с целью упрощения получения оптимальных для данных температур концентраций носителей заряда. [11]
Упомянутые простые методы очистки хороши при условии, если исходные материалы берутся из одного источника. Смена производителя может сопровождаться изменением уровня легирования или даже небольшим изменением состава. Так, например, чтобы понизить концентрацию дырок, в твердый раствор р-типа Bio 5Sbi5Te3 иногда вводят в небольших количествах Se как примесь замещения Те. Это сопровождается сужением области гомогенности твердого раствора и ее сдвигом в сторону стехиометрии. [12]
Криволинейные участки ликвидуса двойных систем одновременно являются и кривыми растворимости, ограничивающими состав твердых фаз на основе чистых компонентов. Они исходят из точек плавления чистых компонентов. Отсюда следует, что область гомогенности твердых растворов с повышением температуры сокращается и при точке плавления компонента равна нулю. [13]
Этот очень важный процесс имеет весьма разнообразные следствия. Наиболее тривиален случай образования в псевдобинарных системах непрерывных или ограниченных твердых растворов. Обычно этот процесс рассматривается под углом зрения определения границ области гомогенности твердого раствора. Если при взаимодействии АС и ВС атомы А и В близки по свойствам ( энергия связей с С, структура электронных оболочек и радиусы), то возникают непрерывные твердые растворы. [14]
Этот очень важный процесс имеет весьма разнообразные следствия. Наиболее тривиален случай образования в псевдобинарных системах непрерывных или ограниченных твердых растворов. Обычно этот процесс рассматривается под углом зрения определения границ области гомогенности твердого раствора. [15]
Страницы: 1 2