Средняя область

Cтраница 2

Средняя область кристалла полупроводника / ( рис. 52, а), служащая основой для образования электронно-дырочных переходов, называется базой, крайняя область 2, инжектирующая ( эмиттирую-щая) носители заряда - эмиттером, а область 3, собирающая инжектированные носители заряда, - коллектором. К каждой из двух областей припаяны соответственно эмиттерный Э, базовый Б и коллекторный К. Кристалл укрепляют на специальном кристаллодержателе и помещают в герметизированный металлический, пластмассовый или стеклянный корпус. Внешние токоотводы электродов проходят через изоляторы в дне корпуса. [16]

Средняя область кристалла транзистора называется базой, крайние области - эмиттером и коллектором. [17]

Средняя область кристалла транзистора называется базой, крайние области - эмиттером и коллектором. Переходы между базой и эмиттером и базой и коллектором называются соответственно эмиттерным и коллекторным. [18]

Средняя область кристалла транзистора называется базой, крайние области - эмиттером и коллектором. [19]

Кривая изотермического превращения аустенита в промежуточной области. [20]

Особой средней области на диаграммах превращения аустенита в углеродистых сталях не выявляется. [21]

Причем средняя область ( Vnp Vr) соответствует срыву пламени. [22]

Устройство плоскостного триода. [23]

Если средняя область имеет электронную проводимость типа п, а две примыкающие области - дырочную проводимость типа р, то такой триод принадлежит к типу р-п - р в отличие от триодов п-р - п, имеющих среднюю область с дырочной проводимостью. [24]

Если средняя область имеет электронную п проводимость, то две крайние имеют дырочную р, и наоборот. Физические процессы в триодах обоих типов аналогичны. [25]

Эта средняя область называется базой, а две крайние - эмиттером и коллектором. Эмиттер осуществляет инжекцию ( перенос) неосновных носителей зарядов в базу, а коллектор - экстракцию ( сбор, собирание) носителей. Транзистор, у которого эмиттер и коллектор имеют электропроводность р-типа, а база - электропроводность м-типа, относится к р-л-р-типу. [26]

Зависимость Vnp ( 1 и Vr ( 2 от скорости обдувающего потока. [27]

Причем средняя область ( VnP Vr) соответствует срыву пламени. [28]

Влияние способа приготовления на гидрирующую активность сульфидов молибдена. [29]

В средней области содержание серы отвечает объемным сульфидам, а удельная поверхность и удельная активность таких систем максимальны. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5