Средняя область - транзистор
Cтраница 1
 |
Схематическое изображение транзистора.| Устройство сплавного транзистора. / эмиттер, 2 коллектор, 3 - база.| Упрощенная схема изготовления транзистора методом диффузии. [1] |
Средняя область транзистора называется базой, одна крайняя область называется эмиттером, другая - коллектором. Расстояние между, ними очень мало - порядка нескольких микрометров. Следовательно, область базы представляет собой очень тонкий слой. Кроме того, концентрация атомов примеси в области базы незначительна - во много раз меньше, чем в эмиттере. Это является важнейшим условием работы транзистора. Конструктивно транзисторы различаются в зависимости от мощности и метода образования р-п переходов. [2]
Средняя область транзистора называется базой, одна крайняя область - эмиттером, другая - коллектором. Таким образом, в транзисторе имеются два п - р-перехода: эмиттерный - между эмиттером и базой и коллекторный - между базой и коллектором. Это является условием для хорошей работы транзистора. Кроме того, концентрация примесей в базе всегда значительно меньше, чем в коллекторе и эмиттере. От базы, эмиттера и коллектора сделаны выводы. [3]
Средняя область транзистора получила название база, одна из крайних - эмиттер, другая - коллектор. [4]
 |
Устройство сплавного транзистора. / - эмиттер. 2 - коллектор. 3 - база.| Упрощенная схема изготовления диффузионного транзистора. [5] |
Средняя область транзистора называется базой, или основанием. Одна крайняя область называется эмиттером, другая - коллектором. К каждой из областей припаяны выводы, при помощи которых прибор включается в схему. Из рис. 12 - 2 видно, что в транзисторе имеются два р - n - перехода: эмиттерный и коллекторный. Расстояние между ними очень мало - порядка нескольких микрометров. Следовательно, область базы представляет собой очень тонкий слой. Кроме того, концентрация атомов примеси в области базы незначительна - во много раз меньше, чем в эмиттере. Это является важнейшим условием работы транзистора. [6]
Средняя область транзистора называется базой, крайние области - эмиттером и коллектором. [7]
Среднюю область транзистора называют базой или основанием. К базе с двух сторон примыкают одинаковые области. Соответственно электронно-дырочный переход между эмиттером и базой называют эмиттерным. [8]
В триоде типа п-р - п чередование слоев обратное. Средняя область транзистора называется базой ( б) или основанием. [9]
Биполярный транзистор имеет трехслойную структуру ( рис. 38, а) и соответственно три вывода. Среднюю область транзистора называют базой, а крайние - эмиттером и коллектором. Такие транзисторы называют биполярными, потому что перенос тока в них осуществляется носителями заряда двух типов - электронами и дырками. [10]
 |
Устройство плоскостного транзистора. а - ехемз, ft - внешний вид. / - монокристалл, 2 I. 6 - полупроводники с примесью, 3, 4 и S - токоотводы. [11] |
Плоскостной транзистор представляет собой монокристаллический полупроводник с двумя близко расположенными электронно-дырочными переходами. Основой структуры транзистора является монокристалл / полупроводника ( рис. 56), в котором при помощи примесей созданы три области с чередующимися типами проводимости. Если средняя область имеет электронную проводимость типа и, а две примыкающие области - дырочную типа р, то структура такого транзистора - типа р-п - р в отличие от транзистора п-р - л, имеющего среднюю область с дырочной проводимостью. Средняя область транзистора между двумя р - n - переходами называется базой, а крайние области - эмиттером и коллектором. От них сделаны внешние токоотводы, называемые соответственно эмнттер-ными, коллекторными и базовыми. [12]
Транзистор представляет собой полупроводниковый прибор с электронно-дырочным переходом, позволяющий усиливать и генерировать электрические сигналы, а также коммутировать электрические цепи. В электронной аппаратуре применяют униполярные и биполярные ( точечные и плоскостные) транзисторы. Основным элементом транзистора является монокристалл германия или кремния, в котором созданы три области с различной проводимостью. Две крайние области всегда имеют проводимость одинакового типа, противоположную проводимости средней области. У транзистора типа P-N-P ( рис. 19, а) крайние области обладают дырочной проводимостью, а средняя - электронной; у транзистора типа N-P-N ( рис. 19, б) крайние области имеют электронную проводимость, а средняя - дырочную. Физические процессы, протекающие в транзисторах обоих типов, аналогичны. Средняя область транзистора называется базой Б, одна из крайних областей - эмиттером Э, а другая - коллектором К. [13]
Страницы: 1