Инверсная активная область

Cтраница 1

Инверсная активная область - в этой области коллекторный переход смещен в прямом направлении, а эмиттерный - в обратном. [1]

Формирование среза импульса начинается при работе триода в инверсной активной области [5], а завершается после его перехода в область отсечки. После рассасывания избыточных носителей, накопленных у коллекторного перехода, триод переходит в область отсечки, где и завершается формирование среза импульса. [2]

Схемы, в которых триод в установившемся режиме работает в инверсной активной области, встречаются крайне редко. Однако при работе полупроводникового ключа в импульсном режиме эта область часто является одной из рабочих областей. [3]

В этом случае триод выходит из насыщения через эмит-терный лереход и попадает в инверсную активную область. Происходит так называемое инверсное запирание триода. [4]

Схема простейшего электронного ключа на биполярном транзисторе. [5]

При переключении транзистора в течение переходного процесса он может оказаться в активной области, а иногда и в инверсной активной области. [6]

Модификация модели Эберса и Мол /. а. [7]

Для того чтобы модель соответствовала планарному транзистору, она кроме свойств, характерных для плоскостного транзистора, должна отражать также работу транзитора при высоких уровнях инжекции, учитывать не только диффузию, но и дрейф носителей. При работе в режиме насыщения и в инверсной активной области модель должна учитывать влияние токов, текущих между выводами базы и коллектора в пассивной зоне транзистора. Кроме того, в модели должно быть отражено накопление заряда не только в области базы, но и в области коллектора при прямом смещении коллекторного перехода. [8]

Значение tBI триодов типа П15, мксек.| Схема ключа при. [9]

Измерение величины TBI производится при. В базу триода подается импульс тока прямоугольной формы, и после этого, так же как при нормальном включении, измеряется время нарастания фронта выходного импульса 1 / н и по формуле ( 3) определяется среднее значение тгв / в инверсной активной области. [10]

Значение IBI ( мксек триодов типа П16. [11]

Постоянная времени тн характеризует процесс накопления или рассасывания избыточных носителей, обусловленный рекомбинацией во всей области базы, и определяется величиной твф. Постоянная же времени tBly определяется временем жизни в активной области базы. Поскольку у бездрей-фовых триодов уменьшение величины гэф при работе в области насыщения и в инверсной активной области обусловлено одними и теми же причинами, то значения тн и TBI оказываются почти одинаковыми ( ср. [12]

К основным свойствам математических моделей нелинейных компонентов электронных схем в первую очередь следует отнести универсальность модели. Под универсальностью модели понимается ее применимость для анализа работы схемы в различных режимах. Так, например, наиболее универсальная модель транзистора должна позволять анализировать его работу во всех четырех областях: области отсечки, нормальной активной области, области насыщения и инверсной активной области. [13]

Рассмотрим принцип действия триггера. При подаче входных сигналов, например, в виде J [ J2 - 31 и KiK2 K 0 запись 1 в триггер производится в следующей последовательности. Тактовый импульс положительной полярности, поступающий на вход С, во-первых, запирает транзисторы Т 4 и Т и тем самым отключает вспомогательный триггер от главного, во-вторых, разблокирует многоэмиттерные транзисторы Ту и Туй - Так как на всех эмиттерах Т20 действует повышенный потенциал ( Ji / 2 J - 1, С - - 1, и так как в триггере был записан 0, то и на эмиттере, соединенном с инверсным входом, Q 1), то Туд переходит в инверсную активную область и своим коллекторным током отпирает транзистор Т &. По мере понижения потенциала коллектора Т д увеличивается ток эмиттера Ги и соответственно ток его коллектора уменьшается, что приводит к запиранию инвертора Гц. Повышение потенциала коллектора Т ц способствует уменьшению тока эмиттера Tie и увеличению тока его коллектора, отпирающего инвертор на Tig. В схеме начинает действовать регенеративная обратная связь, которая приводит к перебросу главного триггера в новое состояние, при котором транзисторы Г, Tn оказываются открытыми, а Гц, Т12 закрытыми. [14]

Страницы: 1