Cтраница 1
![]() |
Система таллий - вис. [1] |
Заштрихованные области диаграммы соответствуют областям существования а, р и i твердых растворов висмута и таллия. [2]
Если сплав будет находиться в заштрихованной области диаграммы, изображенной на рис. 48, б ( в области / Г - состояния), то количество выделяющейся фазы, представляющей собой мелкодисперсную систему выделений, воспринимаемых структурными методами как сегрегация состава, будет занимать - 10 - 3 часть объема всего кристалла. Увеличение объема сегрегации, связанное с действием источников вакансий, происходит существенно медленнее, чем их образование за счет избыточных закалочных вакансий. [3]
Построив точку М с координатами av 50 и TV 50, видим, что эта точка принадлежит заштрихованной области кругшюй диаграммы. Следовательно, искомая площадка v существует. [4]
![]() |
Зависимость состава иона ванадия от рН среды ( по Эвансу. [5] |
На рис. 6 приведена диаграмму, заимствованная из работы Эванса [255], на которой очень наглядно изображена зависимость состояния ванадия в виде того или иного иона от рН среды. Заштрихованные области диаграммы соответствуют образованию соединений, представляющих собой в обычных условиях твердую фазу. В эту диаграмму, как будет показано ниже, вписываются многие природные соединения ванадия. [6]
Чтобы предотвратить вторичный пробой мощного транзистора инвертора из-за высокой концентрации энергии в объеме полупроводника при коммутационных процессах необходимо формировать режим безопасного переключения транзистора. На рис. 2.21 заштрихованная область диаграммы переключения транзистора соответствует недопустимому сочетанию тока и напряжения на транзисторе, при котором наступает необратимый тепловой пробой транзистора. [7]
Наглядным способом анализа свойств смесей топлива с окислителем и разбавителем является построение диаграмм огнеопасность - состав, подобных представленной на рисунке. Газовые смеси, составы которых находятся вне заштрихованной области диаграммы, не горят и не детонируют вследствие слабого выделения тепла, не обеспечивающего требуемой температуры горения. Точки на диаграмме вблизи углов соответствуют минимальной температуре пламени; она возрастает по мере смещения точки концентрации внутрь области. [8]
На рис. 28 изображена зависимость отношения концентраций ХБ: ДХБ ( Сн: См) от концентрации бензола Св в реакторах полного вытеснения и полного смешения. Значения Сн: См в аппаратах промежуточного ( смешанного) типа находятся в заштрихованной области диаграммы. [9]
![]() |
Диаграмма для определения границ преобладания. [10] |
Треугольная диаграмма, изображенная на рис. 26, показывает границы преобладания потоков различных фаз. Так, при газонасыщенности, большей 35 %, поток состоит только из газа. Заштрихованные области диаграммы на рис. 26 соответствуют двухфазным потокам. Двойной штриховкой отмечена область трехфазного потока. По диаграмме на рис. 26 можно определить, какие компоненты движутся в пласте при данном соотношении величин насыщенности пор фазами. [11]
Область диаграммы, охватывающая все сочетания состава н температуры, при которых система распадается на две фазы, заштрихована горизонталь-ными линиями, направление кото-рых совпадает с направлением нод. Температура 2 4, соответствующая максимуму, называется критической температурой растворения. Заштрихованная область диаграммы, лежащая ниже температуры Т4, называется областью расслаивания. [12]
Область диаграммы рис. 58, а, охватывающая все сочетания состава и температуры, при которых система распадается на две фазы, заштрихована горизонтальными линиями, направление которых совпадает с направлением нод. Температура Т, соответствующая максимуму, называется критической температурой растворения. Заштрихованная область диаграммы, лежащая ниже температуры Г4) называется областью расслаивания. [13]
Область диаграммы рис. 58, а, охватывающая все сочетания состава и температуры, при которых система распадается на две фазы, заштрихована горизонтальными линиями, направление которых совпадает с направлением нод. Температура Т, соответствующая максимуму, называется критической температурой растворения. Заштрихованная область диаграммы, лежащая ниже температуры Г4, называется областью расслаивания. [14]