Отдельная изолированная область
Cтраница 1
Отдельные изолированные области в процессе эксплуатации ИМС должны быть разделены слоем полупроводникового материала противоположного типа электропроводности и областями объемного заряда обратно смещенных p - n - переходов. Изоляция будет надежной только тогда, когда изолирующие р-п-переходы не пробиваются и области их объемных зарядов не перекрываются. Это условие обеспечивается путем соответствующего выбора ширины вскрытого окна под изолирующую диффузию, которая в свою очередь зависит от параметров исходного полупроводникового материала и напряжения смещения р-я-перехода между изолированной областью и подложкой. [1]
Из физических соображений очевидно, что ситуация не изменится при наличии отдельных изолированных областей с F ( r) йсос. Хотя в областях с большой величиной потенциала и могут существовать локализованные связанные или резонансные состояния, токонесущие приграничные состояния будут просто локально сдвигаться, обходя указанные области. Разумеется, если случайный потенциал становится столь сильным, что частота рассеяния электронов превосходит сос, использование понятия об уровнях Ландау в качестве отправной точки становится бесполезным и наша аргументация теряет силу. [2]
Если транзисторы ИМС работают при различных потенциалах коллекторных областей, то их располагают в отдельных изолированных областях. Для улучшения электрической развязки между коллекторными изолированными областями контакт к подложке рекомендуется выполнять в непосредственной близости от транзистора, характеризующегося наибольшей рассеиваемой мощностью. Для обеспечения согласованности характеристик транзисторов их необходимо располагать в соседних изолированных областях, причем геометрическая конфигурация коллекторной, базовой и эмиттерной областей должна быть идентичной. [3]
Для каждого диода, формируемого на основе перехода коллектор - база, должна быть предусмотрена отдельная изолированная область, в противном случае может произойти смыкание областей объемного заряда соседних диодов, так как их расширение в высокоомную коллекторную область является значительным. Если диоды формируются на основе перехода эмиттер - база, то их можно размещать внутри одной изолированной области, поскольку расширение областей объемного заряда р-п-пере-ходов, формируемых в этом случае в достаточно низкоомных материалах, невелико. [4]
 |
Функционально-интегрированный элемент с совмещенными пассивными и активными элементами. [5] |
И, ИЛИ, И - НЕ, ИЛИ - НЕ и др. В структурно-топологическом отношении такие элементы представляют собой сформированные в кристалле полупроводника активные и пассивные элементы, расположенные в отдельных изолированных областях и объединенные в функциональную схему металлизацией. Типовые элементы для реализации основных логических функций рассмотрены в гл. В таких элементах схемотехнические и структурно-топологические решения слабо взаимосвязаны. [6]
Транзисторы, коллекторы которых присоединены непосредственно к источнику питания, целесообразно размещать в одной изолированной области вместе с резисторами. Остальные транзисторы должны быть размещены в отдельных изолированных областях, площади которых следует сводить к минимуму. [7]
Поверхности, соответствующие ограничениям, образуют область допустимых значений переменных, внутри которой ( или на ее границах) расположена экстремальная точка. Область допустимых значений переменных может быть либо односвязной, либо состоящей из отдельных изолированных областей. Функция цели может иметь не Ьдин, а несколько локальных ( относительных) экстремумов. [8]
Если оба р-п - р транзистора VT3 и VT4 имеют вертикальную структуру, то их можно изготовить в одной изолированной области на кристалле, что будет способствовать уменьшению площади всего кристалла. Что касается двух п-р - п транзисторов, то для каждого из них потребуется отдельная изолированная область на кристалле. [9]
Элементы биполярных интегральных структур создаются в едином технологическом цикле на общей полупроводниковой подложке. Каждый элемент схемы формируется в отдельной изолированной области, а соединения между элементами выполняются путем металлизации на поверхности пассивированной схемы. Изоляция между элементами схемы осуществляется двумя способами: обратно-смещенными р - п переходами и диэлектриком. [10]
Функциональный состав БИС зависит от выбора элементной базы. Под элементной базой БИС понимают схемное решение элементарных функций преобразования и обработки информации. На начальной стадии проектирования БИС в качестве базовых элементов использовали схемы, выполняющие логические функции И, ИЛИ, И - НЕ, ИЛИ - НЕ и др. В структурно-топологическом отношении такие элементы представляют собой сформированные в кристалле полупроводника активные и пассивные элементы, расположенные в отдельных изолированных областях и объединенные в функциональную схему металлизацией. Типовые элементы для реализации основных логических функций рассмотрены в гл. В таких элементах схемотехнические и структурно-топологические решения слабо взаимосвязаны. [11]
Страницы: 1