Облучение - образец
Cтраница 3
 |
Критерии радиационной.| Ячейка для измерения р под действием у-излучения. [31] |
При направленном облучении образца заряженными частицами следует компенсировать токи, образуемые потоком этих частиц, или учитывать эти токи, меняя расположение измерительного и высоковольтного электродов в поле излучения. [32]
При облучении образца урана в постоянном потоке тепловых нейтронов происходит k делений в секунду. [33]
При облучении образца УФ-светом возможна флуоресценция молекул, дающая свет с большей длиной волны, который может попадать на детектор и приводить к ошибкам. Наличие флуоресценции у вещества может быть проверено на флуориметре. [34]
 |
Спектральные кривые разбавленного раствора молока, полученные обычным способом ( / и методом интегрирующей сферы ( 2. [35] |
При облучении образца УФ-светом возможна флюоресценция молекул, дающая свет с большей длиной волны, который может попадать на детектор и приводить к ошибкам. Наличие флюоресценции у вещества может быть проверено на флюориметре. [36]
При облучении образцов клея ВК-1 с той же мощностью до доз 2 - 4 МДж / кг сохраняется около 64 % исходной величины разрушающего напряжения при сдвиге. [37]
Заказы на облучение образцов материалов и деталей выполняются экспериментальными реакторами, краткие характеристики которых приводятся ниже. [38]
После прекращения облучения образца наблюдается пост-полимеризация. При действии у-облучения предполагается, что процесс протекает по анионному механизму. [39]
 |
Относительное изменение объема &. V / V высокоплотной окиси бериллия в зависимости от флюенса нейтронов при различных температурах. [40] |
Увеличение температуры облучения образцов уменьшает рост их объема. [41]
После прекращения облучения образца наблюдается пост-полимеризация. Прп действии 7Ч) блученми предполагается, что процесс протекает по анионному механизму. [42]
 |
Токовые характеристики образца Nb3Sn ( 79 до облучения и после облучения в параллельном и нормальном поле ( а и обратный ток в зависимости от нормального поля для этого образца ( б. [43] |
Результаты двух последовательных облучений образца 75 даны на рис. 2; критический ток, проходящий через образец, изменяется в зависимости от внешнего приложенного магнитного поля, причем направление тока в образце нормально или параллельно полю. Максимальная величина внешнего поля была ограничена возможностями используемого магнита. Изменение / с относительно велико, особенно для случая, когда ток в образце нормален к приложенному полю. [44]
Однако при облучении образца могут образовываться дефекты ( например, мономеры, выбитые из узлов решетки), которые при температуре полимеризации отжигаются. Учет такого рода дефектов и изменения их концентрации 5 по ходу полимеризации значительно усложняет кинетику процесса. [45]
Страницы: 1 2 3 4