Облучение - графит
Cтраница 2
При низкотемпературном облучении ( 56 - - 140 С) графита в реакторе G1 получена линейная зависимость изменения твердости с увеличением флюенса до 1 2 - Ю20 нейтр. Облучение графита марки ГМЗ при температуре выше 90 - 120 С приводит к стабилизации роста твердости при флюенсе порядка 1020 нейтр. [16]
Изменение упругих свойств твердого тела в результате облучения состоит в заметном повышении модуля упругости. Например, облучение графита в реакторе дозой 102 нейтрор / см приводит к повышению модуля упругости в 3 раза. Увеличение модуля упругости с повышением уровня интенсивности облучения, начиная от некоторой дозы, перестает быть пропорциональным дозе облучения. При облучении тела обнаруживается изменение внутреннего трения. [18]
В уравнениях (4.17) все величины определяют экспериментально. Относительные изменения размеров кристаллитов можно определить при облучении рекристаллизованного пиролитиче-ского графита, который рассматривают как монокристалл. [19]
Коттрелл установил, что после нескольких минут облучения ( доза 1014 нейтрон / см2) величина коэффициента внутреннего трения графита уменьшается на один порядок. Позднее Бейкон и Уоррен [47] изучали изменения расстояния с0, которые наблюдаются в процессе облучения графита при комнатной температуре. Из приведенных исследовании был сделан вывод, что при обычных условиях работы реактора кристаллографические изменения в искусственном графите будут незначительными. [20]
Степень радиационных нарушений является функцией времени выдержки и температуры, а также сильно зависит от состояния исходных материалов и технологии их изготовления. Следовательно, невозможно с определенностью предсказать степень нарушений в результате облучения графита. [21]
При этом для выявления тех или иных закономерностей широко использованы модельные материалы, в которых закономерно изменяли интересующие свойства в процессе их получения. В настоящей книге обобщены опубликованные данные о конструкциях графитовых кладок и их работоспособности. Наряду с этим описаны различные конструкции ампульных устройств и методы облучения графита, применяемые в отечественных исследованиях. [22]
Страницы: 1 2