Постоянное облучение

Cтраница 1

Постоянное облучение малыми дозами ( даже при неполной дезактивации) может вызвать хроническую форму лучевой болезни или отрицательные последствия в более поздний период жизни. К такому же результату приводит попадание внутрь организма РВ через органы дыхания, раны, ожоги, с пищей, жидкостями. Такая форма лучевой болезни излечима, но необходимо прекратить облучение. [1]

При воздействии постоянного облучения дозой от 5 до 50 бэр часто отмечались случаи неврологических расстройств, вызванных изменениями в структурах головного мозга. [2]

Под воздействием высоких температур и постоянного облучения в конструкционных ( материалах атомных и термоядерных реакторов возникают такие явления, как радиационное упрочнение, распухание, охрупчивание. Это приводит к изменению их механических свойств. Процессы, происходящие IB материале три облучении, должны иметь закономерности. Их необходимо выяснить и, пользуясь различными моделями, найти возможные пути подавления вредных последствий радиации. [3]

Какова ПД мощность экспозиционной дозы при постоянном облучении всего тела, если за 1 год норма составляет 0 17 бэр. [4]

Основные недостатки импульсного фотолиза были устранены в методике Рамсея [12] путем использования постоянного облучения и длинного оптического пути для измерений спектров поглощения промежуточных соединений при их низких стационарных концентрациях. Метод импульсного фотолиза подробно описан в разд. [5]

Спектры испускания фосфоресценции при - 190 в смеси эфир - f этанол при постоянном облучении светом 3660 А. [6]

График, поясняющий принцип измерения предела линейности световой характеристики в статическом режиме. [7]

Анодная характеристика ФЭУ определяет зависимость анодного фототока от напряжения между последним динодом и анодом при постоянных каскадных напряжениях и постоянном облучении фотокатода. [8]

График, поясняющий принцип измерения предела линейности световой характеристики в статическом режиме. [9]

Анодная характеристика ФЭУ определяет зависимость анодного фототока от напряжения - между последним динодом и анодом при постоянных каскадных напряжениях и постоянном облучении фотокатода. [10]

График, поясняющий принцип измерения предела линейности световой характеристики в статическом режиме. [11]

Для управляемых ФЭУ, в которых путем подачи напряжения между двумя выбранными электродами может осуществляться моду - - ляция анодного тока при постоянном облучении фотокатода, вводится параметр - напряжение запирания Uga. Обычно он определяется как напряжение между двумя указанными электродами ( в вольтах), которое необходимо для уменьшения анодного фототока до 10 % от первоначального значения. [12]

В трэках концентрация образующихся ионов велика, в то В ремя как вне траков относительно мала. При постоянном облучении вещества трэки непрерывно возникают и исчезают вследствие рекомбинации и диффузии ионов. Средняя плотность ионизации в жидкости зависит от плотности ионов в трэке и от числа трэков на единицу объема облучаемой среды. Из-за образования трэков неоднородно распределены в облучаемой среде и химические процессы, обусловленные первичной ионизацией, а также возбуждением. В трэках преобладают процессы одного типа: рекомбинация ионов и радикалов, а вне трэков - процессы другого типа: взаимодействие радикалов с молекулами, ионно-молекулярные реакции. Чем резче неоднородность выделения энергии ( что обусловлено характером ионизирующих частиц), тем больше различий в составе продуктов радиационно-химической реакции. Процессы диффузии, в результате которых выравниваются концентрации ионов, радикалов и других частиц, образующихся в результате первичного воздействия излучения, нивелируют различия между процессами, происходящими в трэках и вне трэков. [13]

В траках концентрация образующихся ионов велика, в то время как вне трэков относительно мала. При постоянном облучении вещества трэки непрерывно возникают и исчезают вследствие рекомбинации и диффузии новое. Средняя плотность ионизации в жидкости зависит от плотности ионов в трэке и от числа трэков на единицу объема облучаемой среды. Из-за образования трэков неоднородно распределены в облучаемой среде и химические процессы, обусловленные первичной ионизацией, а также возбуждением. В трэках преобладают процессы одного типа: рекомбинация ионов и радикалов, а вне трэков - процессы другого типа: взаимодействие радикалов с молекулами, ионно-молекулярные реакции. Чем резче неоднородность выделения энергии ( что обусловлено характером ионизирующих частиц) тем больше различий в составе продуктов радиационно-химической реакции. Процессы диффузии, в результате которых выравниваются концентрации ионов, радикалов и других частиц, образующихся в результате первичного воздействия излучения, нивелируют различия между процессами, происходящими в трэках и вне трэков. [14]

Люминесценция, возбуждаемая поглощенной лучистой энергией, имеет определенный период нарастания. При достаточно длительном периоде постоянного облучения испускаемый лучистый поток достигает равновесного значения, когда число молекул, возбуждаемых в единицу времени поглощенной энергией, равно числу молекул, деактивированных при излучении. Практически для всех люминесцирующих веществ периоды нарастания и затухания равны, так как относительное количество возбужденных молекул всегда мало по сравнению с общим числом невозбужденных, даже если интенсивность облучения очень велика. Линейная зависимость между падающим лучистым потоком и потоком люминесценции чрезвычайно важна для колориметрии люминесцирующих материалов, использующей данные спектрофотометрии. [15]

Страницы: 1 2