Прямое облучение

Cтраница 4

Исходные соединения образуют уже в основном состоянии обнаруживаемый спектроскопически комплекс с переносом заряда ( КПЗ), который легко превращается в конечный продукт при прямом облучении и особенно легко в присутствии триплет-ных сенсибилизаторов. Первая стадия представленного процесса может быть рассмотрена как фотохимическое [2 2] - циклопри-соединение, а вторая - как термическая [4 2] - реакция. [46]

Недавно показано [1006], что метиловый эфир 4 4 6-триметилгептадиен - 2 5-овой кислоты и нитрил 4 4 6-триметилгептадиен - 2 5-карбоновой кислоты образуют производные хризантемовой кислоты при прямом облучении УФ-светом в гексане в результате ди-я-метановой перегруппировки. [47]

При печном нагреве в изделиях, собранных под пайку и состоящих из тонкостенных плоских деталей, у которых внутренние участки экранированы, а края относительно свободно перемещаются и подвергаются прямому облучению, может развиваться пластическая деформация, например, в виде сборок. Поэтому нагрев при пайке выше температуры, при кото рой основной материал теряет свои упругие свойства, в условиях значительных тепловых перепадов ( ЮО С) вдоль тонкостенных деталей может приводить к деформации их краев. [48]

Дифракция, которая возникает, когда волны электромагнитного излучения проходят через щель или распространяются за край непрозрачного препятствия; они всегда в некоторой степени заходят в область, не подвергающуюся прямому облучению. [49]

Действующий на материал свет попадает на диазослой б ( см. рис. 24) только через отверстия в экране а, которые составляют 10 - 20 % его площади, и разлагает диазо-соединение только против отверстий экрана, в то время как остальная часть светочувствительного слоя не подвергается прямому облучению. Попадая через эти отверстия на оригинал г - д, свет поглощается печатной краской в местах, содержащих изображение г, и, отражаясь поверхностью белой бумаги д в пробельных местах, достигает светочувствительного слоя б, не защищенного снизу от действия света. Светочувствительный слой должен находиться как можно ближе к экрану, так как в противном случае проходящие через отверстия в экране световые лучи будут рассеиваться материалом основы и разлагать диазосоединение вокруг отверстий в экране также и в местах, соответствующих темным полям изображения. Совершенно очевидно, что поверхность красителя, образующего изображение, при рефлексном копировании пронизана большим числом отверстий, уменьшающих общую плотность изображения. [50]

Процесс производства изотопных продуктов включает в себя три последовательные стадии: 1) нейтронное облучение материала мишени в ядерном реакторе, 2) отделение радиоактивного изотопа в его первоначальной химической форме от посторонних веществ, 3) перевод изотопа из первоначального в требуемое химическое соединение, которое нельзя пометить путем прямого облучения. [51]

В установках прямого облучения выходные отверстия облучателей направляются вниз и облучение осуществляется прямым потоком; в установках отраженного облучения облучатели направляются вверх и облучение производится потоком, отраженным от поверхности потолка. Установки прямого облучения значительно экономичнее установок отраженного облучения. [52]

Эффективность применения теплопоглощающего стекла зависит от интенсивности инсоляции, площади остекления, ориентации и конструкции здания, типа окон и других факторов. При прямом облучении в стекле аккумулируется лучистая энергия и превращается в тепло. Стекло нагревается на 3 - 5 больше, чем обычное, вследствие чего возрастает конвективный тепловой поток воздуха в помещении, а само стекло подвергается температурным деформациям. Эти особенности необходимо учитывать при проектировании светопрозрачных ограждений. [54]

ЛИ особенно дальней инфракрасной области ( свыше 1400 нм) способно проникать через ткани тела на значительную глубину, поражая внутренние органы. Например, прямое облучение поверхности брюшной стенки вызывает повреждение печени, кишечника и других органов, а при облучении головы возможны внутричерепные кровоизлияния. [55]

Расчет облучательных установок длительного действия сводятся к определению мощности, числа и размещения эритемных облучателей. Для установок прямого облучения в ходе расчета требуется подсчитывать максимальное и минимальное значения облученности. Такой расчет выполняется точечным методом аналогично расчету установок общего люминесцентного освещения. [56]

Минимально допустимые степени защиты ОП. [57]

Расчет эритемных ОСУ длительного действия свот дится к определению мощности, числа и размещения эритемных облучателей, обеспечивающих необходимую и допустимую дозы эритемной облученности ( см. разд. Для ОСУ прямого облучения рассчитываются минимальное и максимальнре значения облученности. [58]

Дальнейшая зависимость химического поведения от природы возбужденных состояний иллюстрируется фотохимическими реакциями ароматических дикетонов ис-дибензоилэтилена В и ттгракс-дибензоилциклопропена D ( стр. Гриффин и О Коннелл [554] показали, что прямое облучение В дает возбужденное синглетное состояние, которое главным образом подвергается перегруппировке, включающей 1 5-миграцию фенила, сопровождаемую присоединением спирта с образованием сложного эфира С. С другой стороны, сенсибилизация триплетным бензофеноном дает В в триплетном состоянии, которое подвергается восстановлению путем межмодекулярного переноса атома водорода от растворителя. [59]

Страницы: 1 2 3 4