Анализ - кристалл
Cтраница 2
Этот метод анализа кристаллов был впервые разработан Дебаем, Шерером и Хэллом и является одним из наиболее распространенных методов изучения структуры кристаллов. [16]
 |
Дефекты кристаллических решеток. [17] |
При использовании для анализа кристаллов дифракции электронов применяется излучение, длина волны которого гораздо короче длин волн, используемых при дифракции нейтронов и рентгеновских лучей. Условия Брэгга также достаточно хорошо выполняются и в случае дифракции электронов. [18]
Были проведены рентгеноструктурный и ИК-спектроскопиче-ский анализы кристаллов АНК. [19]
Этот случаи соответствует известному методу Лауэ рентгеноструктур-пого анализа кристаллов. [20]
Особенно большое значение имеет рентгенографический и электронный анализы кристаллов. Рентгеновские лучи широко применяются для выяснения строения кристаллических решеток и их деформации под влиянием внешних воздействий. За последнее десятилетие метод рентгеновского анализа все с большим успехом применяется также для изучения строения жидкостей, для определения структуры молекул и расстояний между атомами в молекуле. [21]
Анализ рентгеновских дифракционных картин в случае жидкостей выполняется аналогично анализу кристаллов, за исключением того, что в первом случае нельзя сделать никаких допущений о повторяющейся системе симметрии. Результаты такого анализа дифракционных картин, изображенных на рис. 34.1, приведены на рис. 34.2 в форме кривых распределения относительных вероятностей. Горизонтальная кривая с W вычислена для совершенно аморфной системы, в которой вероятность нахождения центра ( ядра) атома ртути одинакова на любом расстоянии от какого-либо заданного атома. Волнистые кривые изображают действительное распределение вероятностей для жидкой ртути при различных температурах. Аналогичный характер имеют кривые для всех исследованных жидкостей. [22]
Анализ рентгеновских дифракционных картин в случае жидкостей выполняется аналогично анализу кристаллов, за исключением того, что в первом случае нельзя сделать никаких допущений о повторяющейся системе симметрии. Результаты такого анализа дифракционных картин, изображенных на рис. 34.1, приведены на рис. 34.2 в форме кривых распределения относительных вероятностей. Горизонтальная кривая с Wl вычислена для совершенно аморфной системы, в которой вероятность нахождения центра ( ядра) атома ртути одинакова на любом расстоянии от какого-либо заданного атома. Волнистые кривые изображают действительное распределение вероятностей для жидкой ртути при различных температурах. Аналогичный характер имеют кривые для всех исследованных жидкостей. [23]
Среди различных методов исследования твердых тел особенно большое значение в современных условиях имеет рентгенографический и электронный анализы кристаллов. Рентгеновские лучи широко применяются для выяснения строения кристаллических решеток и их деформации под влиянием внешних воздействий. За последнее десятилетие метод рентгеновского анализа все с большим успехом применяется так же для изучения строения жидкостей и для определения структуры молекул и расстояний между атомами, их составляющими. [24]
Анализ жидкостей и аморфных твердых тел дифракционными методами имеет ту же физическую основу, что и анализ кристаллов, различие определяется только способами описания атомной структуры и соответственно теми характеристиками структуры, которые возможно получить в рамках данного способа описания. [25]
Если полимер кристаллизуется, то принципиально можно определить параметры элементарной ячейки и координаты атомов так же, как и в рентгсноструктурпом анализе кристаллов низком оле-кулярпых веществ. Препятствием для такого исследования является, как уже отмечалось, отсутствие монокристаллов полимеров достаточно больших размеров, поэтому основная экспериментальная задача заключается в получении максимально закристаллизованных образцов с тем, чтобы зафиксировать возможно большее число рефлексов. [26]
Для детального описания энергетических зон необходимо вводить дополнительные матричные элементы то Ч но так же, как мы учитывали дополнительные матричные элементы при анализе простых тетраэдричееких кристаллов в гл. Именно таким методом Пантелидес выполнил детальный анализ системы SiO2; ом. В действительности р-ор биталь атома кислорода дможно разложить на две орбйтали: 0 риентиро ва нную вдоль оси Si - О и перпендикулярную этой оси. Матричный элемент между рассматриваемым пибридизованным состоянием и перпендикулярной компонентой р-состояния обращается в нуль вследствие симметрии. [27]
 |
Растворимость Си в ( Сг. [28] |
Растворимость Си в ( Сг) определена в работе [4] при двух температурах, а в работе [7] - при трех температурах методом рентгеновской дифракции при анализе кристаллов Сг, селективно выделенных из сплава после изотермической выдержки. [29]
В данном случае исследование состава было произведено непосредственно из твердой компактной формы без предварительного диспергирования, или растворения образца. При анализе кристаллов бора это имело особое значение, так как, с одной стороны, позволяло исключить весьма трудоемкую операцию измельчения образца, с другой - сохранить неизменность объема и форда самого кристалла. Высокочастотный разряд возбуждали между двумя одинаковыми образцами, один из которых был включен в анодный контур высокочастотного генератора, а противоположный заземлен. [30]
Страницы: 1 2 3