Cтраница 3
Микроминиатюризация блокинг-генераторов затруднена из-за необходимости применения импульсного трансформатора со значительной индуктивностью намагничивания. На рис. 6.123 показана схема интегрального блокинг-генератора. Элементы блокинг-генератора, входящие в состав полупроводниковой интегральной схемы, выделены пунктирным контуром. Остальные элементы ( импульсный трансформатор Тр и конденсаторы Ci - Ct) являются навесными. Блокинг-генератор выполнен на транзисторе Та, обмотки импульсного трансформатора Тр, обеспечивающего создание положительной обратной связи, включены в цепи базы и коллектора этого транзистора, как и в схеме рис. 6.112. Коллекторная обмотка трансформатора, как и в схеме рис. 6.118, в, зашунти-рована диодом, в качестве которого использован коллекторный переход транзистора Ti. Для обеспечения надежного запирания транзистора Тя и повышения помехоустойчивости схемы по запуску на эмиттере Ts создается начальное запирающее напряжение. [31]
Входное напряжение реле подводится параллельно входному конденсатору С малой емкости. Порог срабатывания реле определяется напряжением питания Ик. В исходном состоянии транзистор Т открыт, транзистор 7 находится в активном режиме, но генерация отсутствует, так как диод Д2 закрыт. Как только входное напряжение превысит порог срабатывания реле, блокинг-генератор вырабатывает импульс и транзистор Tz закрывается. В начале блокинг-процесса базовый ток транзистора 7 замыкается через конденсатор Сь а затем ( как только он разрядится ниже напряжения питания UK) - через диод Д и источник питания UK. По окончании импульса начинается процесс восстановления напряжения на хронирующем конденсаторе С2, который разряжается через резисторы Ri и 5, диод Д4 и коллекторную обмотку трансформатора Тр. Для четкого срабатывания реле в схему введено сопротивление 2 положительной обратной связи, обеспечивающее коэффициент возврата по напряжению, несколько меньший единицы. [32]