Полное обобществление

Cтраница 2

Отныне открыто стало поощряться полное обобществление скота и сельхо-зинвентаря. [16]

В крайнем случае ион-радикальных соединений уже в основном состоянии зоны будут заполнены наполовину для соединений типа М ( ТЦХМ) - и зона проводимости будет заполнена на четверть в соединениях типа М ( ТЦХМ) 7 - При этом будет иметь место металлический характер проводимости. Характерной особенностью зонной модели является полное обобществление электронов проводимости по кристаллу, выражающееся в том, что длина свободного пробега электрона значительно превышает межатомное или межмолекулярное расстояние и подвижность падает с ростом температуры. [17]

В домах-коммунах 20 - х - 30 - х - гг. были предприняты попытки средствами архитектуры создать условия для полного обобществления быта, воспитания, досуга и через них - для формирования новой личности коллективиста, новых форм общения, основанных на нормах коммунистической морали. [18]

Хемосорбция всегда приводит к переносу заряда от адсорбата к поверхности катализатора. Такой перенос может быть полным, когда адсорбат либо отдает, либо принимает на себя электроны поверхности твердого тела и происходит полное обобществление электронной системы адсорбата, в данном случае субстрата, и твердого тела - катализатора. Возможны случаи, когда не происходит ионизации адсорбата, а молекула удерживается в адсорбированном состоянии в виде диполей, индуцированных за счет поляризации, наведенной поверхностными зарядами твердого тела. [19]

Господство монополий доводит обобществление производства до высшей ступени, возможной при капитализме. Монополистический капитализм, по выражению В. И. Ленина, втаскивает капиталистов, вопреки их воле и сознанию, в какой-то новый порядок, переходный от полной свободы конкуренции к полному обобществлению. [20]

Капитализм в его империалистской стадии - писал Ленин - вплотную подводит к самому всестороннему обобществлению производства, он втаскивает, так сказать, капиталистов, вопреки их воли и сознания, в какой-то новый общественный пофядок, переходный от полной свободы конкуренции к полному обобществлению ( Поли. [21]

Оба протона оказываются в устойчивом равновесии на расстоянии 0 74 А. Максимум плотности электронного облака приходится около каждого из протонов, однако отсюда вовсе не следует делать вывод о сохранении каждым протоном своего собственного электрона. Каждый из электронов связан со всем электронным облаком в целом, так что здесь, как и в корпускулярной модели, происходит полное обобществление электронов и на электронную оболочку молекулы Н2, как и всякой другой молекулы, следует смотреть как на единую электронную систему. [22]

В результате этого электрон с одного уровня в каком-либо из атомов может перейти на уровень в соседнем атоме без затраты энергии и, таким образом, свободно перемещаться от одного атома к другому. В связи с этим нельзя утверждать, что данный электрон принадлежит какому-нибудь одному определенному атому, наоборот, электрон в такой ситуации принадлежит всем атомам кристаллической решетки одновременно. Иными словами, происходит обобществление электронов. Разумеется, что полное обобществление происходит лишь с теми электронами, которые находятся на внешних электронных оболочках. Чем ближе электронная оболочка к ядру, тем сильнее ядро удерживает электрон на этом уровне и препятствует перемещению электронов от одного атома к другому. [23]

Объем системы был разделен на ячейки, размер которых составлял несколько нанометров, что достаточно лишь для координированного движения цепей, связанного с переходом из стеклообразного состояния в высокоэластическое. Свободный объем для систем с хорошей совместимостью обобществлен в высокой степени, а оба полимера ведут себя как один с общим свободным объемом. При ограниченной совместимости компонентов полного обобществления свободного объема не наблюдается. Предполагается, что свободный объем f всех ячеек в смесях полимеров различен. Схема зависимости функции распределения доли свободного объема F ( f) от / для систем с различной совместимостью компонентов показывает ( рис. 22), что при достижении границы гетерогенности в 1 - 2 нм кривая ( f) стремится совместиться с кривой для смеси с совмещением компонентов на молекулярном уровне. [24]

Энергетические схемы атомов. а - удаленных относительно друг друга на расстояние г а. б - сближенных до расстояния г а. [25]

Если подвергнуть решетку медленному однородному сжатию, то по мере сближения атомов взаимодействие между ними возрастает и на расстояниях, равных параметру решетки а, достигнет нормальной величины. На рис. 3.1, б показана энергетическая схема атомов, сближенных на расстояние г а. Это означает, что сближение атомов приводит к уменьшению не только ширины, но и высоты барьера. Примечательно, что эта высота оказывается даже несколько ниже первоначального положения энергетического уровня валентных электронов Wn. Поэтому валентные электроны получают возможность практически беспрепятственно переходить от одного атома к другому, происходит их полное обобществление. [26]

По мере сближения атомов взаимодействие между ними растет и на расстояниях, равных параметру решетки, достигает нормальной величины. На рис. 5.1 6 показана картина, соответствующая такому сближению атомов. Это означает, что сближение атомов вызывает уменьшение не только ширины барьера, но и его высоты. Поэтому валентные электроны получают возможность практически беспрепятственно переходить от одного атома к другому. Об этом свидетельствует и характер волновых функций этих электронов: они перекрываются настолько сильно, что дают электронное облако практически равномерной плотности, чему соответствует состояние полного обобществления валентных электронов, при котором вероятность обнаружения их в любом месте решетки совершенно одинакова. В то же время электронные облака внутренних оболочек атома не перекрываются, вследствие чего состояние внутренних электронов в кристалле остается фактически таким же, как и в изолированных атомах. [27]

Такого рода зависимость характерна для явлений с участием каких-либо магнитных центров. Сейчас принято считать, что причиной возникновения отрицательного магнетосопротивления является рассеяние носителей тока на частично локализованных магнитных моментах примесных центров. В магнитном поле эти моменты упорядочиваются, ориентируются, рассеяние электронов уменьшается. Повышение температуры дезориентирует их. Для существования эффекта отрицательного магнетосопротивления примеси должны Создавать не только обобществленные, но и частично локализованные состояния, Частично локализованные состояния возникают благодаря хаотическому распределению примесей. Они я являются носителями рассеивающих центров. При полном обобществлении или полной локализации состояний эффект исчезает. [28]

Страницы: 1 2