Обогащение - расплав
Cтраница 1
Обогащение расплава фосфором также вызывает образование горячих трещин по границам кристаллитов. [1]
Обогащение расплава растворенным огнеупором зависит от отношения поверхности контакта к объему расплава. [2]
 |
Распределение сурьмы в монокристаллах германия, выращенных. [3] |
Обогащение расплава примесью ( при К) является причиной закономерного изменения состава кристалла. Поэтому наиболее эффективными методами получения однородных кристаллов могут быть те, которые позволят управлять составом расплава во время процесса выращивания кристалла. [4]
Обогащение расплава фосфором также вызывает образование горячих трещин по границам кристаллитов. [5]
 |
Зависимость давления пара от температуры в системе ZrCl4 - РОС13 в области насыщенного ( 1 и ненасыщенного ( II пара. [6] |
Далее, с повышением температуры происходит обогащение расплава труднолетучим компонентом до тех пор, пока не образуется азеотропная смесь состава 3ZrCl4 - 2РОС13 [33], которая испаряется без изменения состава. [7]
 |
Диаграмма состояния У2Оз - А. 2Оз. [8] |
Диссоциация и испарение А1203 при выращивании кристаллов ИАГ способствуют обогащению расплава оксидом иттрия, упругость паров которого значительно ниже, чем паров оксида алюминия. Если исходный состав шихты соответствует ИАГ, то в результате нарушения стехиометрии образуется сверхстехиометри-ческий избыток оксида иттрия. Отклонение от стехиометрии имеет предел, за которым избыточный компонент не оттесняется, а образуется обогащенная этим компонентом новая фаза. [9]
 |
Диаграмма состояния. 203 - AljOs. [10] |
Диссоциация и испарение А12Оз при выращивании кристаллов ИАГ способствуют обогащению расплава оксидом иттрия, упругость паров которого значительно ниже, чем паров оксида алюминия. Если исходный состав шихты соответствует ИАГ, то в результате нарушения стехиометрии образуется сверхстехиометри-ческий избыток оксида иттрия. Отклонение от стехиометрии имеет предел, за которым избыточный компонент не оттесняется, а образуется обогащенная этим компонентом новая фаза. [11]
 |
Структура твердых смесей. IV - кристаллы о-ксилола эвтектика, b - эвтектика, V - крупные кристаллы м-ксилола. [12] |
При дальнейшем охлаждении расплава от Т, до температуры Ть происходит обогащение расплава м-ксилолом и в точке ft происходит при указанной температуре одновременное затвердевание расплава в тонкодисперсное кристаллическое твердое тело, содержащее микрокристаллы о - и м-ксилолов, близкие по размерам. Такая смесь кристаллов называется эвтектической. В точке ft, то есть при температуре Ть, в системе одновременно существуют кристаллы о - и м-ксилолов и расплав ксилолов, то есть три фазы. Такая система не имеет степеней свободы f3 - 30 и она называется безвариантной системой. В области III одновременно в системе находятся кристаллы м-ксилола и жидкий расплав. [13]
 |
Структура твердых смесей. IV - кристаллы о-ксилола эвтектика, b - эвтектика, V - крупные кристаллы м-ксилола - (. [14] |
При дальнейшем охлаждении расплава от Т, до температуры Ть происходит обогащение расплава м-ксилолом и в точке 6 происходит при указанной температуре одновременное затвердевание расплава в тонкодисперсное кристаллическое твердое тело, содержащее микрокристаллы о - и м-ксилолов, близкие по размерам. Такая смесь кристаллов называется эвтектической. В точке Ь, то есть при температуре Ть, в системе одновременно существуют кристаллы о - и м-ксилолов и расплав ксилолов, то есть три фазы. Такая система не имеет степеней свободы f3 - 30 и она называется безвариантной системой. В области III одновременно в системе находятся кристаллы м-ксилола и жидкий расплав. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5