Введенное обозначение

Cтраница 4

Введем замену р - p2p pep - po, на рис. 66 приведены уровни давлений, соответствующие введенным обозначениям: РФ, Рср - средние арифметические от забойных и пластовых давлений; РК. [46]

Коллекторные ( а и эмиттерные ( б статические характеристики реального транзистора в схеме с общей базой. [47]

Необходимо отметить, что при описании ВАХ реального транзистора следует в некоторых местах изменить обозначения, так как ранее введенные обозначения касались физической модели и естественно не учитывали некоторых явлений, имеющих место в реальных транзисторах. [48]

Регулярная матрица Т имеет обратную матрицу Т 1, и ТО Т-1 T - 1Q T I, что оправдывает термин обратная и введенные обозначения. Таким образом, регулярные матрицы данного порядка образуют группу по отношению к умножению матриц, причем группу некоммутативную. [49]

Если оператор Р имеет в точке ( х0, у0) е и производную Р ( о, Уо) и, то РН о, о) х и Pi ( x0, УО) У; это обстоятельство оправдывает введенные обозначения частных производных. [50]

Пусть 5 - полное множество, состоящее из 4 Е ( 0) кроссов. Введенные обозначения определяют на 5 инволюции 0 и ср. Ат), как в разд. Она будет удовлетворять условиям, определяющим карту М М ( ц, 0, Р), причем двойственной к карте М является карта М М ( 0, ф, Р), где р р еф. [51]

Эти соотношения соответствуют приближениям: ( а) простого валентно-силового поля и ( б) поля центральных сил. Введенные обозначения указаны в уравнениях ( VIII. [52]

Вообще N ( n) 2n - l 2m - где n 2m l или 2т - Следовательно, число конфигураций последовательностей очень быстро возрастает с их длиной, и задача экспериментального выявления всех возможных типов последовательностей является очень трудной. Согласно введенным обозначениям, рассмотрим четыре возможные конфигурации триад тт. [53]

Страницы: 1 2 3 4