Схемное обозначение

Cтраница 1

Логический элемент ИЛИ. а - схемное обозначение. б - структурная формула. в ключах. г - исполнение на диодах.| Логический элемент И. [1]

Схемное обозначение элемента ИЛИ приведено на рис. 30, а; структурная формула преобразования двух переменных а и Ъ в сигнал G. [2]

Условное изображение ТТ ( о с присоединенной обмоткой реле, разметка обмоток ( б и упрощенная векторная диаграмма токов ТТ ( в. [3]

Принятое схемное обозначение ТТ показано на рис. 2 - 10, а. Маркировка зажимов обмоток ТТ производится обычным образом. На изображениях схем защит одноименные выводы обмоток иногда обозначают звездочками, а часто не обозначают вообще, имея в виду, что одноименные выводы обмоток расположены на чертеже рядом. [4]

Схемное обозначение автотрансформатора.| Автотрансформа тор типа ЛАТР-2. [5]

На рис. IV-141 показано схемное обозначение повышающего и понижающего автотрансформаторов. [6]

Принцип действия фототиристора ( схемное обозначение приведено на рис. 1.20, г) также основан на изменении тока / КБОпри воздействии светового облучения. [7]

Схемное обозначение операционного усилителя. [8]

На рис. 6.1 дано схемное обозначение операционного усилителя. Входной каскад его выполняется в виде дифференциального усилителя, так что операционный усилитель имеет два входа. [9]

В приложении 1 даются примеры схемных обозначений радиодеталей, принятых в данной книге, а приложение 2 содержит краткие сведения о полупроводниковых компонентах, которые используются в рассматриваемых устройствах. [10]

Воздействие гармонического напряжения на нелинейный двухполюсник. [11]

Основным элементом выпрямителя является полупроводниковый диод ( схемное обозначение VD), состоящий из двух соединенных вместе образцов полупроводника, обычно кремния, р - и п-ти-пов. [12]

На рис. 9 - 2, б показано рекомендуемое схемное обозначение криотрона, а на рис. 9 - 2, в - схема простейшего элемента с двумя устойчивыми состояниями, собранного на двух криотронах - крио-тронного триггера. [13]

При выполнении электрического монтажа не рекомендуется закрывать проводами и кабелями схемные обозначения, нанесенные на элементах и корпусах блоков. [14]

На рис. 2.5 приведены проходные вольт-амперные характеристики МДП-транзнсторов и их схемные обозначения. В отличие от транзисторов с управляющим р-п переходом, у которых рабочая область составляет от U3H 0 В до запирания, МДП-транзисторы сохраняют высокое входное сопротивление при любых значениях напряжения на затворе, которое ограничено напряжением пробоя изолятора затвора. [15]

Страницы: 1 2 3 4