Cтраница 3
Бет сомнения, товарищи, в том, что задачи, поставленные XX съездом в деле увеличения производства продуктов сельского хозяйства, будут успешно выполнены. [31]
Бете, который в работе [5] впервые предложил такую подстанов, исследуя решеточную модель фергнетика. [32]
Бете [19] рассмотрел случай, когда линейные размеры диафрагм меньше, чем Я / 2я; в этих условиях с достаточной степенью точности можно считать, что поле вблизи диафрагмы создается невозмущенными полями Ht и Еп плюс поля в отверстии диафрагмы. Для удовлетворения граничных условий необходимо, чтобы на самом отверстии существовали тангенциальное электрическое поле и нормальная составляющая магнитного поля. Можно считать, что эти поля обусловлены электрическим диполем, пропорциональным Еп и направленным перпендикулярно к стенке, а также магнитным диполем с напряженностью, пропорциональной Ht, расположенным в плоскости стенки. [33]
Бете и Блох [1] разработали теорию замедления тяжелых заряженных частиц, причем эта теория в области больших энергий хорошо согласуется с опытом. [34]
Бете), который имеет простую качественную интерпретацию: вероятность взаимодействия частицы с ядром, и значит, сечение реакции, пропорционально времени их взаимодействия, а оно примерно равно частному от деления области взаимодействия ( - 2R) на скорость. [35]
Бете - Солпитера относительно u - канала. [36]
Бете считал, что причиной изменения окраски и образования вздутия является перемещение особого вещества, названного Бете кислотой фибрилл. [37]
Бете [3] полагает, что для справедливости этих утверждений в применении к нейтронам достаточно считать w Мэв. [38]
Бете и Ашкин, а также Гайтлер [2] получили выражение, описывающее потери энергии электронами при торможении в поле ядер и атомных электронов. Если энергия падающих электронов Е находится в интервале т0с Е 137 m0c2Z /, то можно пренебречь эффектом экранирования заряда ядра атомными электронами. [39]
Бете [69] сравнивает все три вида взаимодействий и рассматривает случаи: приведенного здесь собственно слабого поля; среднего поля, когда взаимодействие с кристаллическим полем меньше межэлектронного, но больше спин-орбитального и сильного поля, когда кристаллическое воздействие больше как межэлектронного, так и спин-орбитального взаимодействий. [40]
Бете создал теорию кристаллич. Хюккелем был развит метод молекулярных орбит, согласно к-рому волновые функции комплекса представляют в виде комбинаций волновых функций центрального иона и лигаидов. Метод молекулярных орбит в принципе позволяет рассматривать электронное строение любых комплексов и молекул, но его применение очень сильно осложнено математич. Наиболее плодотворно рассмотрение комплексных соединений и понов в кристаллах с точки зрения теории поля лигандов, к-рая объединяет идеи теории кристаллич. Ваи Флеку удалось показать, что теория поля лпгандов подтверждает справедливость рассмотрения многих свойств неорганич. [41]
Бете ( 1939) разработал теорию образования звездной энергии, согласно которой протоны в результате соответствующих ядерных реакций превращаются в ядра гелия, а освобождающаяся при этом энергия переходит в излучение. [42]
Бете учитывает рассеяние иона на связанных электронах. Соотношение (2.55) справедливо, когда / 2тес2 / 3272, т.е. ограничено высокими энергиями ионов. [43]
Бете ( 1942 г.) заметил, что поля в окрестности малого отверстия могут быть получены статическими или квазистатическими методами. В отсутствие отверстия электромагнитное поле вблизи проводящей плоскости на одной ее стороне имеет только нормальную составляющую электрического поля Е0 и тангенциальную составляющую магнитного поля В0, тогда как на другой стороне полей вообще нет. Употребляя выражение вблизи проводящей плоскости, мы подразумеваем расстояния, которые малы по сравнению с длиной волны. Если теперь прорезать в плоскости небольшое отверстие, то поля в окрестности отверстия изменятся и будут проникать через него на другую сторону. Однако на больших расстояниях от отверстия ( больших по сравнению с его размерами) поля вблизи проводящей плоскости будут такими же, как и в отсутствие отверстия, а именно Е0 будет перпендикулярно, а В0 - параллельно к плоскости. Линии электрического поля будут иметь вид, показанный на фиг. [44]
Бете, в которой ограничение на нижнем пределе обязано связи электрона в атоме ( см. стр. [45]