Обработка - подложка
Cтраница 1
Обработка подложки одним только иодом, хотя и сопровождается травлением, все же такого эффекта не дает. [1]
Обработка подложки, улучшающая адгезию фоторезиста к подложке, может производиться как в объеме растворителей, так и в их парах. Окисные пленки, которые образуются на металлических слоях на воздухе, удаляются при травлении в кислотах, растворяющих окислы. [2]
Обработку подложки заканчивают отжигом при температуре 370 - 390 С в течение 9 мин. Термообработка придает проволоке большую упругость, повышает электропроводность, снимает внутренние напряжения. [3]
При обработке подложек в кислородной плазме, полученной в результате электрического разряда постоянного тока или высокочастотного разряда, при положительном смещении на подложке и температуре до 600 С получается окисный слой того же качества, что и при термическом окислении. Считается, что кислородные ионы ускоряют окисление, однако механизм этой реакции подробно не изучен. Широкие возможности применения имеет метод локального плазменного окисления. [4]
Она включает обработку подложки стальными щетками и полирование кожей, или электрохимическое зернение, пли приклеивание к поверхности алюминия стеклянных шариков диаметром 5 - Ю мкм. В результате на поверхности образуется рельеф, имеющий профиль круглых или полукруглых точек размером от 5 до 10 мкм. Слой SiO2 полностью обезвоживают, нагревая до 600 С, или используют специальные ад-гезивы. [5]
 |
Совмещенная микросхема. [6] |
На этом заканчивается обработка подложки и начинается осаждение тонкопленочных элементов. [7]
Наконец, рассмотрим влияние способа обработки подложек на плотность дефектов и распределение примесей в эпитаксиальных слоях. Поскольку ЦТС вносят существенный вклад в образование переходных слоев в АЭС GaAs, представляется необходимым выяснить причины их появления. Появление ЦТС может быть обусловлено исходными загрязнениями подложки ( поскольку ЦТС присутствуют на травленой газом поверхности) и выделениями некоторого вещества во время эпитаксии за счет протекания некоторого неконтролируемого процесса, релаксирую-щего со временем. Для разделения этих эффектов необходимо, прежде всего, варьировать способ подготовки подложек к росту. [8]
Одностадийный процесс сенсактивации имеет особое значение при обработке подложек, имеющих на поверхности участки медной фольги. Если используют двухстадийный процесс, то на поверхности фольги оседает рыхлый слой металлического палладия. [9]
В технологии вакуумного испарения пленок широко применяется метод обработки подложки тлеющим разрядом, в результате которого можно получить хорошую адгезию напыляемых пленок к подложке. Как отмечалось ранее, металлические основания покрыты всегда окисной пленкой. [10]
Недостаток эпитаксиальных пленок заключается в сравнительно высокой стоимости изготовления и обработки подложки. Необходимая для образования ЦМД одноосная анизотропия возникает в процессе технологии изготовления пленок и обусловлена механическими напряжениями, которые появляются из-за неполного соответствия постоянных решетки подложки и эпитаксиального слоя, а также вследствие влияния небольших примесей свинца или висмута, которые попадают в пленку из расплава. [11]
Если транзистор изготовляется на эпитаксиальной пленке, то те же требования предъявляются к обработке подложек. [12]
Процесс изготовления гибридных микросхем начинается с изготовления шаблонов, масок ( или трафаретов), обработки подложек и последующего формирования слоев и элементов микросхем. Указанные этапы проводятся независимо один от другого и представляют в совокупности многооперационные технологические процессы. Причем первые три являются общими как для толстопленочной, так и для тонкопленочной технологии. Рассмотрим их несколько подробнее. [13]
Увеличение степени интеграции связано с уменьшением размеров активных и пассивных элементов, совершенствованием технологии изготовления и обработки подложек больших размеров, использованием новых, более совершенных активных элементов, обладающих технологическими и функциональными преимуществами и повышенной надежностью, что может быть достигнуто только при комплексной интеграции. [14]
В ряде случаев при наличии специфических загрязнений применяется только часть общего технологического цикла, заключающаяся в обработке подложек смесями фреона с различными растворителями с последующей обработкой во фреоне и его парах. Кроме того, этот процесс может быть использован на промежуточных стадиях фотолитографии и диффузии, для стабилизации окислов. Рекомендуется также хранение пластин после очистки в парах фреона. [15]
Страницы: 1 2 3