Контурно-лучевая обработка
Cтраница 1
Плоскостная контурно-лучевая обработка по схеме, показанной на рис. 41, е, может выполняться при коэффициенте перекрытия в пределах 0 7 / Сп 1, причем значение Кп по осям X и Y, как и в предыдущих схемах, одинаковое. [1]
Изучение процессов контурно-лучевой обработки осложняется, с одной стороны, отсутствием достаточно совершенных систем оптического формирования излучения, с другой, - малой частотой следования импульсов высокоэнергетических лазерных установок. Тем не менее, имеющиеся данные позволяют в определенной мере судить о возможностях применения лазерного излучения для выполнения технологических операций и при использовании существующего оборудования оценить правомерность выводов, высказанных в предыдущих главах. [2]
 |
Схема упрочнения поверхности излучением импульсных ОКГ при фокусировании сферической оптикой. [3] |
Рассмотренные закономерности однокоординатной контурно-лучевой обработки могут быть частично распространены и на двухкоор-динатное ( плоскостное) формирование профиля. [4]
Лазеры находят широкое применение в различных технологических операциях размерной обработки: контурно-лучевая обработка различных пленок и полупроводниковых пластин, калибровка и прошивание отверстий. Во всех перечисленных технологиях применение лазеров дает значительный экономический эффект по сравнению с другими технологиями. [5]
 |
Схема упрочнения поверхности излучением импульсных ОКГ при фокусировании сферической оптикой. [6] |
Из формулы ( 22) следует, что при однокоординатной ( линейной) контурно-лучевой обработке материалов с увеличением шага S растет скорость обработки, но при этом также возрастает площадь необлученных участков. [7]
 |
Схема упрочнения поверхности излучением импульсных ОКГ при фокусировании сферической оптикой. [8] |
Из анализа геометрических схем реализации процесса и вышеприведенных соображений следует, что шаг S однокоординатной контурно-лучевой обработки должен выбираться таким, чтобы обеспечивались как оптимальное заполнение профиля, так и равномерность упрочненного слоя, характеризуемая величиной б по глубине 8 при достаточно высокой скорости обработки. [9]
 |
Схема расположения ЗТВ при плоскостном упрочнении. [10] |
Кроме того, как показывают предварительные эксперименты, в этих участках материала в результате действия последующего импульса излучения ОКГ происходит отпуск обработанной поверхности, вызывающий местное разупрочнение ранее упрочненного слоя при осуществлении процесса контурно-лучевой обработки материала. [11]
 |
Микрофотографии поверхностного слоя стали У8, упрочненной лазерным излучением при Кп - 0 1 ( а и Кп 0 3 ( б. [12] |
На рис. 44 показаны микрофотографии упрочненных зон в образцах из стали У8 при различных значениях / Сп. Упрочненная зона при линейной контурно-лучевой обработке представляет собой характерную чешуйчатую макроструктуру. [13]
При использовании рассмотренных схем контурно-лучевая обработка происходит в процессе относительного перемещения луча ОКГ и обрабатываемой поверхности детали. [14]
Для выполнения ряда технологических операций важно обеспечить полное облучение поверхности. Это возможно лишь при взаимном перекрытии зон лазерного воздействия. Для повышения эффективности обработки следует стремиться к такому размещению зон лазерного воздействия, чтобы размеры перекрытых участков были минимальными. В этом случае обеспечивается максимальное заполнение профиля ( К3 0 96), однако коэффициент использования импульсов очень мал ( / Си 0 46), что свидетельствует о низкой эффективности процесса контурно-лучевой обработки. [15]
Страницы: 1