Фотолитографическая обработка

Cтраница 1

Фотолитографическая обработка в последние годы находит самое широкое применение на отечественных предприятиях. [1]

Фотолитографическая обработка маскирующего покрытия позволяет создавать в слое покрытия окна определенной геометрии, через которые затем вводят примеси. [2]

Для фотолитографической обработки используются не сами фотооригиналы, а так называемые рабочие фотошаблоны, полученные копированием с фотооригинала. Во втором случае существенно уменьшается износ фотошаблонов, так как после 10 - 20-кратного непосредственного наложения они приходят в полную негодность. Для засветки фоторезиста при литографической обработке кроме света можно использовать рентгеновское излучение или пучок электронов. С помощью электронного пучка необходимые структуры формируются вообще без применения шаблонов. [3]

Технология изготовления меза-планарного германиевого транзистора. [4]

При третьей фотолитографической обработке вытравливают меза-сто-лик диаметром 130 мк и высртой 8 мк для выделе-н: рй перехода коллектор - база. [5]

Вслед за фотолитографической обработкой выполняется операция легирования кремния примесями - фосфором или мышьяком - для получения проводимости и-типа и заданной концентрации носителей заряда или же операция легирования бором для получения проводимости - типа. Легирование осуществляется диффузионным способом: поверхность подложки при температуре 900 - 1200 С подвергается воздействию атомов легирующей примеси, которые диффундируют в глубь подложки. [6]

Распределение носителей и зонные диаграммы в МОП-транзисторе с индуцированным р-каналом. [7]

Эти ионы являются следствием фотолитографической обработки пластины, а также предшествующего окисления. Наиболее вероятны ионы натрия и водорода. [8]

Технология изготовления эпи-таксиально-планарных кремниевых транзисторов. [9]

Затем пластины опять поступают на фотолитографическую обработку для вытравливания в окисле окон, необходимых для создания соответственно эмиттерных и базовых контактов. [10]

Пластины с защитным окисным слоем поступают на фотолитографическую обработку, при которой в окисной пленке со стороны высокоомной части пластинок создают базовые окна диаметром 240 мк. [11]

Для удаления окисла из этих областей используют третью фотолитографическую обработку. Эта операция менее критична по сравнению с предыдущими, однако она должна обеспечивать полное удаление окисла с контактных площадок. Если окисел удален не полностью, то это приводит - к ухудшению качества контактов при создании межэлементных соединений. Кроме того, при проведении этой операции необходимо следить за качеством фоторезиста, покрывающего область затвора, так как отверстия в фоторезисте могут привести при травлении к образованию точечных отверстий под затвором. Впоследствии эти отверстия могут явиться причиной возникновения коротких замыканий. [12]

Сечение проводника полупроводниковых прибо-первого слоя металлизации J i r. [13]

При изготовлении многослойной структуры проводят дополнительные операции: нанесение диэлектрика, фотолитографическая обработка для образования окон в диэлектрике там, где требу - 0.55 мкм ется контакт к нижней ме-галлической пленке, осаледе-ние второго слоя металла и нанесение на него рисунка. [14]

При диффузионном методе изготовления p - n - переходов полупроводниковые пластинки с защитным окисным слоем предварительно подвергают фотолитографической обработке, при которой создается заданная конфигурация окон на пластинке. После фотолитографии через эти окна проводят диффузию примесей в полупроводник и получают р-я-переходы. [15]

Страницы: 1 2 3 4