Полупроводниковый образец

Cтраница 1

Полупроводниковые образцы представляют собой брусочки, длина которых равна высоте прямоугольного волновода. Образец помещается в вол ново дный тракт в область максимального электрического поля через отверстие в середине широкой стенки волновода. Экспериментальная проверка показывает, что изменение проводимости в наибольшей степени проявляется в кремнии с электронной проводимостью и в германии с электронной и дырочной проводимостями. У германия с электронной проводимостью при напряженности поля 5 кВ / см подвижность электронов изменяется в 4 раза. Для разогрева носителей тока электромагнитным полем высокой частоты требуются мощности, в миллионы раз меньшие мощностей для нагрева до такой же температуры атомов кристаллической решетки. [1]

Полупроводниковые образцы из кремния n - типа могут работать до 100 С и выше, однако требуют температурной компенс - ции. Схемы термокомпенсации могут быть основаны на термостатировании или на автоматическом изменении параметров измерительной схемы. В ряде случаев удается получить хорошую термокомпенсацию температур от - 50 до 60 С с полупроводниковыми кремниевыми образцами и-типа. В качестве компенсирующего элемента в мостовой схеме используется второй образец из такого же материала. Погрешность метода зависит также от качества обработки поверхности полупроводника, поскольку при различных способах обработки изменяется скорость поверхностной рекомбинации носителей тока. Чтобы концентрация носителей тока оставалась постоянной, необходимо стабилизировать скорость поверхностной рекомбинации электронов путем обработки поверхности полупроводника в специальных растворах, после чего их поверхность покрывают защитным слоем лака. Влияние поверхностных эффектов устраняется путем уменьшения диффузионной длины носителей тока за счет уменьшения времени их жизни, что достигается применением примеси из золота. [2]

Измерительная головка газоразрядного датчика. [3]

Полупроводниковый образец обладает сравнительно большим сопротивлением, поэтому для его согласования с измерительной цепью требуется катодный или эмиттерный повторитель. [4]

Схема установки для измерения зависимости о ( Г с помощью моста переменного тока. [5]

Полупроводниковый образец О является одним из плеч моста, работающего на переменном токе. [6]

Полупроводниковый образец в виде бруска ( размерами 0 2x0 2x2 см) с электролитически нанесенными контактами с обоих концов вводится в схему последовательно с сопротивлением и батареей. Образец освещается короткими импульсами света2) продолжительностью приблизительно 0 2 мксек. Таким образом, за очень короткое время создаются дополнительные пары электрон-дырка. Результирующее изменение проводимости приводит к изменению напряжения, измеряемому как функция времени с помощью широкополосного ( 8 мггц) усилителя с большим коэффициентом усиления и осциллографа. Ясно, что изменение напряжения вдоль образца, пропорциональное увеличению проводимости, будет наблюдаться, пока дополнительные пары остаются в заметном количестве. [7]

Схема датчика на полупроводниковом диоде. [8]

Если полупроводниковый образец поместить в волновод, то можно предположить, что для проходящей в волноводе СВЧ мощности он представляет собой чисто активную нагрузку, и изменение проводимости происходит безынерционно. [9]

Принципиальная схема ус - ошибку, вносимую сопротивления-тановки для измерения проводи - J J. [10]

Через полупроводниковый образец пропускается постоянный ток. При помощи зондовых электродов 1 и 2 с части образца снимается падение напряжения Ux, которое измеряется компенсационным методом. Когда падение напряжения на рабочей части потенциометра П окажется равным напряжению между зондовыми электродами, ток через гальванометр прекращается. [11]

Схема, поясняющая причины возникновенияэффок-тов Нернста и Риги-Ледюка. [12]

Рассмотрим полупроводниковый образец, на концах которого поддерживаются различные температуры, помещенный в перпендикулярное направлению теплового потока магнитное поле. Как ясно из рис. 5, электроны, движущиеся от горячего конца к холодному, будут отклоняться влево, а электроны, движущиеся от холодного конца, - вправо, следовательно, левая грань будет нагреваться, а правая охлаждаться. Это явление и носит название эффекта Риги-Ледюка. [13]

Исследуемый полупроводниковый образец подготовляется к измерениям точно так же, как и для измерений а. Только вместо двух электродов на него наносится четыре: два токовых и два холловских. [14]

Пусть полупроводниковый образец в виде тонкой пластины освещается монохроматическим светом из области собственного поглощения. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5