Cтраница 1
Диэлектрический образец с замороженной поляризованностью Р имеет форму полого цилиндра с разрезом. [1]
Рассмотрим однородно поляризованный диэлектрический образец ( рис. 100), имеющий форму очень длинного цилиндра. Вектор Р параллелен боковой поверхности цилиндра. [2]
При исследовании цилиндрического диэлектрического образца удобно использовать цилиндрическую систему координат. [3]
Собственную емкость определяют с помощью диэлектрического образца - заменителя во избежание ошибки, которая может быть вызвана частотной зависимостью проницаемости. [4]
Именно в этом сечении целесообразно помещать исследуемые диэлектрические образцы ( см. гл. [5]
Применение тонких дисков с увеличенным диаметром, а также дополнительных диэлектрических образцов, накладываемых на ферритовые, позволяет увеличить связь резонатора с падающими волнами, уменьшить его внешнюю добротность и за счет этого также увеличить рабочую полосу частот. [6]
Органические диэлектрики применяются также в качестве конструкционных элементов для крепления диэлектрических образцов в устройствах с ДР. [7]
Уравнения (2.19) и (2.20) характеризуют волновой характер распространения электромагнитной энергии в диэлектрическом образце. При этом определение структуры поля сводится к интегрированию этих уравнений. Постоянные интегрирования определяются граничными условиями на боковых стенках диэлектрического образца. [8]
При использовании плоского латунного диска в качестве стандартной металлической поверхности обнаружилось, что заряды после сжатия его с любым сферическим диэлектрическим образцом были пропорциональны площади контакта. [9]
При использовании плоского латунного диска в качестве стандартной металлической поверхности обнаруживалось, что величины зарядов, возникающих после сжатия его с любым сферическим диэлектрическим образцом, были пропорциональны площади контакта. [10]
![]() |
Распределение магнитного.| Распределение электрического поля fijoi - вида колебаний сферического диэлектрического резонатора. [11] |
Бесселя 1-го рода порядка п -; р ( o) / e ( i / c - волновое число в диэлектрическом образце. [12]
Здесь кривая 1 соответствует диаграмме на расстоянии 16 мм от раскрыва, кривая 2 - расстоянию 26 мм, штриховая линия дает диаграмму направленности за диэлектрическим образцом на расстоянии 4 мм, а штрихпунктирная - на расстоянии 8 мм. Уровень боковых лепестков значительно ниже, чем у штыревых антенн, не согласованных со свободным пространством, однако основной лепесток существенно расширяется. Влияние полуволнового диэлектрического образца на диаграмму направленности этой антенны незначительно. [13]
На рис. 4.21, б показана диаграмма направленности штыревой диэлектрической антенны: кривая 1 - на расстоянии 2 мм отраскрыва; кривая2 - на расстоянии 10 мм; штриховая линия соответствует диаграмме направленности за диэлектрическим образцом на расстоянии 3 мм, а штрих-пунктирная той же диаграмме на расстоянии 10 мм. Основной лепесток диаграммы направленности этой антенны несколько уже, чем у конца круглого волновода, однако появляются боковые лепестки, доходящие до уровня 18 дБ, а в некоторых случаях до 16 дБ в зависимости от расстояния до торца диэлектрического штыря. [14]
Переходя к замкнутым полостям в массиве с постоянным градиентом температуры на бесконечности, отметим, прежде всего, что задача об определении температурного поля в покоящейся жидкости математически эквивалентна известной задаче электростатики об определении поля в диэлектрическом образце, помещенном в первоначально однородное электрическое поле. На языке электростатики это означает, что поле в образце, помещенном в первоначально однородное поле, также должно быть однородным. Как известно [9], это возможно лишь в случае достаточно высокой симметрии образца. Такой симметрией обладает трехосный эллипсоид. Если эллипсоидальный образец помещается в однородное поле, то поле внутри образца также будет однородным, хотя его направление при произвольной ориентации эллипсоида не совпадает с направлением внешнего поля. [15]